补充资料：单晶炉

单晶炉
monocrystallizing furnace

上出现一个狭窄的熔化区，并使熔化区缓慢向一个方向移动，利用杂质在固相和液相间的熔解度差异使材料得以提纯的方法。区熔法硅单晶炉的基本结构与直拉法的类似，但炉内没有柑涡。被提纯的多晶硅棒夹在上下两轴之间，由套在外面的扁环形感应线圈进行感应加热。硅棒下端附有籽晶。感应线圈先位于硅棒下端，在硅棒中加热出一个狭窄的熔化区，然后上下两轴互相作正反方向旋转，同时感应线圈和熔化区缓慢上升。在严格的一定条件下，硅棒中的杂质将富集到棒的一端而使棒的其余部分得到提纯并形成单晶。这种炉子的特点是不用柑祸，可防止氧、碳进人单晶，因此在制造反向电压硅整流元件用单晶方面占重哭娜位.但这种炉子难以制造大直径单晶，其温度控制和直径控制也较困难，限制了它的应用。金属材料的提纯多用区熔法。炉子可以有多种不同结构，常采用电子束加热。Oor…ngIu单晶炉 (1monocrystallizing furnace) 用来提纯半导体材料(如硅、锗)、激光材料(如钇铝石榴石)、高纯金属材料(如钨、钼)等使之成为单晶体的电炉。提纯方法有直拉法(Z法)和区熔法(FZ法)两种。直拉法单晶炉通常就称单晶炉，区熔法单晶炉简称区熔炉。这是一类控制和传动都要求十分精确的电炉。 直拉法单晶炉 这种电炉可以用电阻加热，也可以用感应加热，以前者较多。用电阻加热时，它是一种精密的真空电阻炉。以使用最普通的硅单晶炉为例，其典型结构如图。工作时，在真空度不低于10叫Pa时将原料——多晶硅加热熔化。坩埚上方有一根提拉轴。其终端固定有一粒直径为5～10 mm的籽晶。开始时，籽晶浸入温度略高于硅熔点的熔液中。籽晶轴一方面旋转，一方面以约1 mm／min的速度缓慢上升，同时坩埚作反方向旋转。在严格的工艺条件下，熔融硅将按籽晶的结晶方向凝固成硅单晶。这种单晶炉是20世纪50年代出现的，制造集成电路和晶体管的无位错硅单晶绝大部分都用它生产。硅单晶的重量达15 kg，直径达150 mm，直径误差在士O．5 mm内。拉制其他单晶的炉子的结构类似。 区熔法单晶炉 区熔法是靠局部加热使材料锭条直拉法单晶炉示意图

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