1) drain breakdown voltage
漏极击穿电压
1.
This paper describes a process improvement for the HV PMOS LDD structure to enhance the HV PMOS drain breakdown voltage without impact on other device performance,and analyzes the mechanism of how the process improvement enhances the drain breakdown voltage.
文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。
2) collector breakdown voltage
集电极击穿电压
3) anode break-down voltage
阳极击穿电压
4) collector breakdown voltage
集极击穿电压
5) emitter-collector breakdown voltage
发射极集电极击穿电压
6) collector-base breakdown voltage
集电极基极击穿电压
补充资料：击穿电压
分子式：
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条