2) heterostructures of two-dimensional photonic crystal
二维光子晶体异质结
3) heterostructure photonic crystals waveguides
异质结光子晶体波导
1.
Study and fabrication of multimode interference-based heterostructure photonic crystals waveguides optical power spliter;
多模干涉异质结光子晶体波导光功分器的研制
4) heterojunction bipolar transistor
异质结晶体管
1.
InGaP-GaAs thin base (8 nm) dual heterojunction material is grown by molecular beam extension ( MBE) , and a heterojunction bipolar transistor( HBT) with negative differential resistance ( NDR) characteristic is fabricated.
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
2.
A thin base (8nm) InGaP/GaAs dual heterojunction material is grown by MBE and a heterojunction bipolar transistor (HBT) with negative differential resistance (NDR) is fabricated.
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
5) HBT
异质结晶体管
1.
Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz;
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)
2.
Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances;
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
3.
A Study on Modeling of Frequency Characteristics for SiGe HBT s;
SiGe异质结晶体管频率特性模型研究
补充资料：异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻，从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式，就相当于基区存在着一个等效电场，它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短，从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条