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1)  PSOI(partial SOI)
PSOI(部分SOI)
2)  PD SOI
部分耗SOI
3)  PDSOI
部分耗尽SOI
1.
The first domestic total dose hardened 2μm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)CMOS 3-line to 8-line decoder fabricated in SIMOX is demonstrated.
报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征。
2.
2μm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.
2μm部分耗尽SOI64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106rad(Si) ,其使用了SI MOX晶圆。
3.
Test results show that such devices have good performance in delaying the occurrence of the “kink” phenomenon and improving the breakdown voltage as compared to conventional PDSOI nMOSFETs,while not decreasing the threshold voltage of the back gate obviously.
制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOInMOSFETs。
4)  AC PD SOI MOSFETs
AC部分耗尽SOI MOSFETs
5)  partial-depleted SOI
部分耗尽型SOI
6)  partially depleted SOI MOSFETs
部分耗尽SOI MOSFETs
补充资料:《部分禁止核试验条约》
《部分禁止核试验条约》
Partial Nuclear Test Ban Treaty

   《 禁止在大气层 、 外层空间和水下进行核武器试验条约》的简称。1963 年8月5日美、苏、英三国在莫斯科签订,同年10月10日生效。至1989 年共有 129个国家参加该条约。
    
20世纪50年代以来,世界各地的反核运动蓬勃发展,在联合国和几个核大国之间都举行了一系列禁止核试验谈判 。1958年10月,美、苏、英三国关于停止核武器试验的谈判在日内瓦举行,但未能达成协议。1962年古巴导弹危机的解决,开创了美、苏在核时代相互协调的先例;法国核试验的成功又促使美、苏在该问题上的立场逐渐接近,使谈判取得进展。1963 年7月25日,美、苏、英三国首席代表在美、英条约的基础上达成协议,并于8月5日正式签署条约。
    条约由前言和正文 5条构成。前言宣布缔约国的主要目的是“按照联合国的宗旨尽快达成一项在严格的国际监督下的全面彻底裁军协定 ”。条约规定 ,缔约国保证在大气层;在大气层范围以外,包括外层空间;或在水下,包括领海和公海;或任何其他环境中禁止任何核武器试验爆炸或任何其他核爆炸。该条约向一切国家开放签字。条约在所有缔约国批准并交换批准书后生效。条约无限期有效,缔约国如断定与本条约有关的非常事件危及本国的最高利益,有权退出条约。
   一些国家认为该条约是企图巩固美、苏、英对核武器的垄断。当时苏联和美国已经完成了大气层核试验阶段,它们可以通过地下核试验发展新的核武器,英国在必要时可以借用美国的试验场。而条约并不禁止地下核试验,因此并不能阻止核武器的发展 。1963 年 7月 31日,中国政府发表声明,主张全面、彻底、干净、坚决地禁止和销毁核武器,指出美苏企图通过这个条约,巩固自己的核垄断地位,而把一切受核威胁的国家的手脚束缚起来。法国也反对该条约,中、法两国没有在条约上签字。
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