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1)  bulk-driven MOSFETs
衬底驱动MOSFETs
2)  bulk-driven
衬底驱动
1.
A 0.8 V 3rd-Order Elliptic OTA-C Filter Based on Bulk-Driven Technique;
基于衬底驱动技术的0.8V三阶椭圆OTA-C滤波器
2.
The fundamental principles of the bulk-driven MOSFET and mixer are discussed.
讨论分析了混频器和衬底驱动MOSFET的工作原理。
3.
Based on bulk-driven technique,this paper presents a sub-1 V rail-to-rail CMOS operational amplifier.
基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器。
3)  bulk driven
衬底驱动
1.
Novel 0.5V bulk driven full differential Amp;
一种衬底驱动的0.5V全差分运算放大器
2.
Based on the bulk driven PMOS transistor,a low voltage CMOS cascade current mirror (BDCCM) is presented,then the input/output impedance and frequency characteristics are discussed.
基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。
4)  PMOS bulk-driver
PMOS衬底驱动
5)  swing substrate
摆动衬底
1.
The existed rotating substrate was improved,and the swing substrate of no-fast-return\'s peculiarity was designed,so as to simplify the substrate structure,measure the temperature of multi-spot on the surface of the substrate and resolve the problem on leakage of cooling water.
对传统的电子辅助化学气相沉积(EACVD)系统连续转动衬底进行改进,设计了无急回特性的曲柄摇杆机构摆动衬底,解决了原衬底结构复杂,只能单点测温,以及衬底冷却水渗漏等问题;对摆动衬底的温度场进行仿真计算,分析了不同摆动参数对衬底温度场的影响,结果表明,选用合适的摆动参数可以获得比较均匀的衬底温度场。
6)  driving by bottom hole
井底驱动
补充资料:衬经衬纬圆纬机
      用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小,具有机织物的特性,除适合做各种外衣外,还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上,有三组纱线:衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
  机器的针筒固定在台面上,三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出,通过分经盘(或导经片)由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度,形成圆锥面,便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧,与三角座一起回转,通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间,依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧,与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间,把成圈纱喂入针钩内编织成圈,形成平针组织,同时,使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱,圈柱从外侧包住衬纬纱,从而使三组纱线结合在一起,形成一种基本的衬经衬纬针织物。  衬经衬纬针织物用于外衣产品时,由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点,易于拱出,因此,需改变其组织结构。例如,通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈,并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外,适当加粗衬纬纱,也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
  

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