1) nonlinear tolerance
非线性容忍度
2) linear risk tolerance
线性风险容忍度
1.
Equilibrium pricing for zero coupon bond when the representative's utility shows linear risk tolerance under the linear jump diffusion processes
线性风险容忍度效用下线性跳跃扩散过程的零息债券均衡定价
3) tolerable
[英]['tɔlərəbl] [美]['tɑlərəbḷ]
可容忍度
1.
An intolerable line, a scrutiny line and a negligible line are obtained through quantitative analysis of fire risk tolerability.
通过量化分析区域火灾风险的可容忍度,讨论了区域火灾风险的不可容忍风险线、审查线及可忽略线,为消防监督部门的风险决策提供基础框架,并结合上海市的相关数据,通过示例对区域火灾风险准则的确立作了说明。
4) tolerance
[英]['tɔlərəns] [美]['tɑlərəns]
容忍度
1.
Among the factors constituting successful communication, the mechanisms of tolerance and rectification are of profoundly explanatory.
此外 ,大量成功交往的实例也证明 ,容忍度与修正机制是客观评价语用失误的重要视
2.
In this paper,we use an experimental research method examining the relationship between information location and information misstatements as well as the auditors\' tolerance about the misstatements from different location information.
本文采用实验研究方法,检验了会计信息定位与会计信息有意识错报的关系,以及审计人员对不同定位的会计信息有意识错报的容忍度。
3.
Looking the Feminine Marital Idea Change From the Female to the Tolerance Difference of Extramarital Love Affair——Based on four feminine interview discovery;
本文通过对四位遭遇丈夫发生"婚外恋"的女性的访谈发现:现代社会女性较之于传统女性对婚外恋的容忍度有所提升,这反应现代女性的独立性得到增强;表现在婚姻观念上则是不再视婚姻为人生成败的指标,抛弃了依赖男人的思想,要求有自己的生活圈。
5) calcium tolerance
钙容忍度
1.
The properties of the product was evaluated by efficiency of scale inhibition, bromine value and calcium tolerance.
以防垢率、溴值、钙容忍度为指标对产品进行了评价。
6) The quality of being forbearing.
容忍容忍的性质
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条