1) Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection
源极诱导带带隧穿热电子注入
2) photoinduced electron injection
光诱导电子注入
3) band to band
带-带隧穿
4) band-to-band-tunneling
带带隧穿
1.
A charge pumping method is proposed for the m easurem ent of hole- induced interface states and trapped charges due to band- to- band- tunneling the effects during the erasing operation of FL ASH.
FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 。
5) hot electron tunneling
热电子隧穿
1.
It is found that the barrier width is thinned by the surface defects with high density to enhance the hot electron tunneling.
发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程。
2.
Two electron transition processes between channel and surface states in GaN HFET:hot electron tunneling and surface to band edge transition are investigated.
研究了GaNHFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能。
6) tunneling injection
隧穿注入
1.
Using tunneling injection,characteristic temperature and modulation bandwidth of QD laser are improved effectively.
介绍了一种新型的载流子隧穿注入量子点激光器,具体内容涉及量子点激光器研究现状、存在的问题、隧穿注入量子点激光器的工作原理和优势、研究现状等。
补充资料：热电子（hotelectron）
热电子（hotelectron）
半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条