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1)  PNP substrate transistor
衬底PNP型双极型晶体管
1.
The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate .
对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。
2)  the substrate PNP bipolar transistor
衬底PNP双极型晶体管
3)  substrate bipolar transistor
衬底型双极晶体管
1.
A high accuracy temperature sensor is designed by applying the temperature characteristics of a substrate bipolar transistor in CMOS technology.
利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器。
4)  PNP semiconductor triode
PNP型晶体三极管
1.
According to the principle of PNP semiconductor triode,the method to determine the active status of the PNP triode in Emitter-Biased Amplifier can be investigated by using quantitative relations of equivalent supply voltage,quiescent voltage and the break-over voltage of Base-Emitter of the trioder.
根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据。
5)  P-N-P transistor
PNP型晶体管
6)  ultra-β PNP transistor
PNP型超β晶体管
1.
The design makes the ultra-β PNP transistors work in the low Uce,low Ic1 micro-power state,and takes choice of low-noise measures such as resistive and capacitive components,and then the corresponding circuit is introduced.
对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Ic1的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施。
补充资料:过度型晶体

指介于原子晶体、金属晶体和分子晶体之间的一种过度型晶体。如石墨晶体和层状晶体,每层内每个碳原子于另外三个碳原子以共价键结合,六个碳原子在同一平面上形成正六边形的环,伸展形成层状结构,表现为很高的熔点和沸点,这种情况使石墨象原子晶体。在同以平面的碳原子各剩一个可以自由移动的价电子,相当于金属中的自由电子,表现为石墨能导电,这种情况使石墨又象分子晶体。故石墨属于混合晶体。属于过度型晶体的还有黑磷和云母等

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