1) etchback
回刻
1.
This article introduces a optimum combined film etchback process for ULSI planarization with high-aspect-ratio.
介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术 ,通过对双层布线中复合膜(CVD- Si O2 膜和 SOG膜 )的回刻 ,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比 (aspect ratio)条件下 ,在双层金属膜之间的层间介质膜上获得了好的台阶覆盖性。
补充资料：三一回五一回
1.犹言三番五次。
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