1) semiconductor materials/ nano-crystalline materials
半导体材料/纳米材料
2) nano semiconductor material
纳米半导体材料
1.
The observation method of the surface form,defection of nano semiconductor material is introduced in this paper,the method in studying of the luminous manner and the optical characteris-tics of quantum dot are also given.
简要地介绍了纳米半导体材料表面形貌、位错缺陷的观测手段与方法以及研究量子点的发光行为和光学性质的手段与方法。
3) semiconductor nanomaterial
半导体纳米材料
1.
Research progress,physics properties and the application prospect of semiconductor nanomaterial were introduced.
介绍了半导体纳米材料的研究进展、物理特性和应用前
2.
However, semiconductor nanomaterials have potential applications in LBD, non-linear material, light-sensitive materials, and photocatalyst materials, due to their extraordinary performance.
而半导体纳米材料因其所具有的优异性能在发光器件、非线性材料、光敏感材料、光催化材料等方面表现了出了广阔的应用前景,未来的趋势,半导体的制造技术将进入一个纳米时代。
3.
The objective of this dissertation is to explore new avenue for solution-based chemical routes to prepare indium-basedⅢ-Ⅵgroup inorganic semiconductor nanomaterials.
本论文旨在探索铟基Ⅲ-Ⅵ族无机半导体纳米材料的液相合成新途径。
4) nanometer-sized semiconductor materials
半导体纳米材料
1.
In this dissertation, the recent results, analysis methods, and theories of optical nonlinearities of nanometer-sized semiconductor materials were summarized systemically.
本论文系统总结了近年来国内外关于半导体纳米材料的光学非线性特性及光限幅效应的研究成果、研究方法及相应的理论分析方法。
6) semiconductor materials / nano-crystalline films materials
半导体材料/纳米薄膜材料
补充资料：半导体材料测量
半导体材料测量
measurement for semiconductor material
材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的 微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而 且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测 量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体 材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发 展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电 学参数测试以及光学测试等方法。 杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅 使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体 晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂 质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制 造的需要。因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十匕。ndooti cail旧。ce}iong分重要。一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多半导体材料测t(meas盯ement for Semicon一层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的ductor material)用物理和化学分析法检测半特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制情况见表1。料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体 表1半导体晶体中杂质检测法口掩方二万 晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层，它会异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要延伸到外延层中直接影响器件的性能，为此必须对晶求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研体的结构及其完整性作出正确的评价。半导体晶体结磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛构和缺陷的主要测量方法见表2。光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条