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1)  Located Charge Trenches
局域电荷槽
2)  density of localized trapped charge
局域态电荷密度
1.
Based on an advanced distribution model of gap states in a-Si: H, a model for the density of localized trapped charge is developed considering defect and tail localized states simultaneously.
本文发展了一种简明的氢化非晶硅(a-Si:H)局域态电荷密度统一模型。
3)  local hole distribution
局域电荷分布
4)  quasilocalized charge approximation
准局域电荷近似
5)  Local charge derivative
局域原子电荷微分法
6)  charge trench
电荷槽
1.
A novel high voltage device structure——partial locating charge trench SOI (PTSOI) is proposed .
提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构。
补充资料:超导电性的局域和非局域理论(localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity)
超导电性的局域和非局域理论(localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity)

伦敦第二个方程(见“伦敦规范”)表明,在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r),而与其他位置的A无牵连;换言之,局域的A(r)可确定该局域的js(r),反之亦然,即理论具有局域性,所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变,则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`,所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此,超导电性需由非局域性理论来描绘,称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。

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