1) Dynamic recrystallization mechanism
动态再结晶机制
2) dynamic recrystallization
动态再结晶
1.
Research on dynamic recrystallization for high Nb pipeline steels produced with FTSR;
高Nb管线钢在FTSR工艺中的动态再结晶行为研究
2.
Prediction models of austenite dynamic recrystallization of medium-carbon microalloyed steel during forging process;
非调质钢锻造过程奥氏体动态再结晶模型的建立
3.
Modeling dynamic recrystallization of pure nickel by cellular automaton;
纯镍动态再结晶过程的元胞自动机模型
3) Dynamic Recrystalization
动态再结晶
1.
The fine grain and narrow HAZ were found in friction stir weld and the dynamic recrystalization produces fine grain.
焊核区由于动态再结晶具有细小的等轴晶粒,旁边存在一个特殊的组织形貌——热机影响区域。
4) dynamical recrystallization
动态再结晶
1.
The mathmatical models of volume fraciton and grain size after dynamical recrystallization were also obtained as follows.
同时,得到了F40MnV钢的动态再结晶动力学方程和动态再结晶晶粒尺寸的数学模型。
2.
The dynamical recrystallization behavior of Q235 steel under hot deformation was investigated by hot compression simulation test.
通过热模拟压缩试验,研究了Q235钢热变形时的动态再结晶行为,确定了其热变形激活能,建立了峰值应力、峰值应变、晶粒尺寸与Zener-Hollomon参数之间的关系模型。
5) recrystallization
动态再结晶
1.
Deformed structures and dynamic recrystallization patterns in W9Mo3Cr4V steel;
W9Mo3Cr4V钢高温形变组织及动态再结晶方式(英文)
2.
In this paper, nucleation and subsequent growth of nucleus-growth dynamic recrystallization have been investaged in high speed steels.
详细研究了高速钢中形核—长大方式动态再结晶时形核机制、长大过程，描述了各阶段的组织特征。
补充资料：结晶机制
又称晶体生长机制,是晶体生长过程的微观规律。从宏观角度看，晶体生长可认为是热量和质量在结晶界面上的输运过程；从微观角度看，则可以看作原子、分子或其他结晶单元从流体中贴附到晶体界面上的现象。因此，关于结晶机制的研究逐渐发展成为关于晶体界面结构和界面动力学的研究。
二维成核结晶机制 1927年前后德国科学家W.科塞尔和保加利亚科学家I.N.斯特兰斯基建立和发展了二维成核的吸附层理论。根据热力学理论，原子或分子必然要贴附到结晶体表面亲和力最大的位置。因为此处有三个键拉着吸附的原子或分子,如图1中A处，因该处可受到三个面的键力,吸附时放出能量使体系稳定化。当一层结晶层铺满晶面后，必须在结晶面上形成一个新的二维晶核，才能继续生长。这就是二维成核结晶的概念。虽然这个概念在早期的经典理论中已为学者所承认，但是按照二维成核机制算出的过饱和度或过冷度需要很高，而实际上由水溶液中生长出的或由气相中生长的晶体并不要求这样高的过饱和度，这是这种机制所不能解释的。
螺旋位错生长机制 是1949年英国晶体学家F.C.夫兰克等提出的，其要点在于生长台阶是由位错的螺旋组成部分与结晶面相截而产生的。当原子或分子沿螺旋面生长时,台阶卷成螺线而不消失（图2、3）,因此并不需要新的台阶，从而解决了晶体能在较低的过饱和度下生长的问题。 目前结晶机制方面的理论和实验仍在不断地发展，例如利用计算机和蒙特卡罗法来模拟原子和分子如何落在晶体界面上，有助于这方面的理论研究，也解决了不少实际问题。
二维成核结晶机制 1927年前后德国科学家W.科塞尔和保加利亚科学家I.N.斯特兰斯基建立和发展了二维成核的吸附层理论。根据热力学理论，原子或分子必然要贴附到结晶体表面亲和力最大的位置。因为此处有三个键拉着吸附的原子或分子,如图1中A处，因该处可受到三个面的键力,吸附时放出能量使体系稳定化。当一层结晶层铺满晶面后，必须在结晶面上形成一个新的二维晶核，才能继续生长。这就是二维成核结晶的概念。虽然这个概念在早期的经典理论中已为学者所承认，但是按照二维成核机制算出的过饱和度或过冷度需要很高，而实际上由水溶液中生长出的或由气相中生长的晶体并不要求这样高的过饱和度，这是这种机制所不能解释的。
螺旋位错生长机制 是1949年英国晶体学家F.C.夫兰克等提出的，其要点在于生长台阶是由位错的螺旋组成部分与结晶面相截而产生的。当原子或分子沿螺旋面生长时,台阶卷成螺线而不消失（图2、3）,因此并不需要新的台阶，从而解决了晶体能在较低的过饱和度下生长的问题。 目前结晶机制方面的理论和实验仍在不断地发展，例如利用计算机和蒙特卡罗法来模拟原子和分子如何落在晶体界面上，有助于这方面的理论研究，也解决了不少实际问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条