1) δ-doping resonant tunneling
δ掺杂共振隧穿型
2) resonant tunneling
共振隧穿
1.
Magnetoresonant tunneling of electrons in asymmetric multibarrier heterostructures;
非对称多势垒异质结构中电子的磁共振隧穿
2.
Effects of the structure on resonant tunneling in multi-quantum-well systems;
多量子阱系统结构变化对共振隧穿的影响
3.
Spin polarized current transport and charge polarization effect in ferromagnetic GaMnN resonant tunneling diode
GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
3) resonance tunneling
共振隧穿
1.
With the knowledge of resonance tunneling mechanism in zero average index PC, we find such PC must contain negative refractive metamaterials and its structure parameters should satisfy some special conditions.
利用光子晶体的共振隧穿效应,并结合由负折射材料引起的零平均折射率带隙,设计出一种新型的角度滤波器,使得对于某一频率范围内的入射电磁波仅在特定入射角度的波能够全透,而其他角度的波不能透过。
4) resonant-tunneling
隧穿共振
1.
The property of the luminescent spectrum is explained on the basis of the theory of the electron resonant-tunneling.
根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点 ,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因 ,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义。
6) planar resonant tunneling diodes
平面型共振隧穿二极管
1.
To resolve the undercut problem in the fabrication of conventional resonant tunneling diodes,a method was proposed for the fabrication of planar resonant tunneling diodes in N~+GaAs substrate through ion implant.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。
2.
In this thesis, the fabrication of planar resonant tunneling diodes and mesa-type resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of MOBILE(monostable-bistable transition logic element)circuit cell build up by planar resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of series resistance of resonant tunneling diodes, and fabrication of resonant tunneling transistor are studied.
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条