动态氧化,aerobic process,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) aerobic process

动态氧化

2) kinetic redox

动态氧化还原

PHREEQC was applied to simulate the processes of cation exchange and kinetic redox with 1-D groundwater flow.

本文利用该模拟软件对一维地下水流动过程中溶质离子交换反应和动态氧化还原反应进行了模拟。

3) dynamic state

动态

A Brief Remark on the Interrelation between Molecular Static State and Dynamic State in Organic Chemistry;

略论有机化学中分子的静态与动态的相互关系

The emphasis has been put on the method of controlling silk longth by using high speed register of PLC under the dynamic state.

本文介绍了可编程序控制器(PLC)在扁丝机改造中的应用,重点介绍了动态下利用PLC的高速计数对扁丝机进行定长控制的方法。

In order to solve the convergence problem and overcome the difficulties for setting the initial values in the steady state simulation of distillation columns, a combined steady-dynamic state model is proposed by taking the advantage of the distinguishing feature of the implicit integration.

本文为了克服精馏塔静态仿真不易收敛和初值难以给定等难题，巧妙地利用隐含数值积分方法的特点，将稳态与动态数学模型耦合起来，用以求解高难度的非理想精馏塔静态仿真问题。

4) Dynamic

动态

Application and Perspective of Dynamic Soft-reduction Technology for Continuous Casting at Meigang;

梅钢连铸动态轻压下技术的应用与展望

Analyze and research on dynamic multi-stage countercurrent extraction;

动态连续阶段逆流提取工艺分析与研究

Research on the Dynamic Evaluation of Eco-environmental Quality in Anhui Province;

安徽省生态环境质量动态评价研究

5) dynamics

动态

Dynamics of Preparative Ion Exchange Chromatography of Amino Acids;

制备型氨基酸离子交换色谱的动态特性

Analysis on the Epidemic Dynamics of HFRS in Jiangxi Province;

江西省肾综合征出血热动态分析

Structure and dynamics of forest plant diversity in Eastern mountain area of Heilongjiang province;

黑龙江省东部山区森林植物多样性结构与动态的研究

6) development

动态

Recent Development on Qzonosphpere Protection;

有关保护臭氧层的最近动态

Development and Tendency of Quality Breeding under New Situation of Commercial Maize Breeding;

商业化育种新形势下玉米品质育种动态与走向

Finally,the development trends of low expansion alloys are reviewed.

最后综述了低膨胀合金的发展动态。

参考词条

动态计算动态模拟动态范围动态模型动态变化动态相变动态过程动态淋溶动态监测动态特征动态仿真 Tychononff不动点定理送而不达

补充资料：金属-氧化物-半导体动态随机存储器

　　具有动态存储信息功能的MOS随机存储器。MOS动态随机存储器多采用双层多晶硅硅栅N沟MOS工艺。存储单元的结构如图1。衬底为 P型（100晶向）硅片，第一层多晶硅（Ⅰ）为MOS电容器的板极，第二层多晶硅（Ⅱ）构成字线,N⁺注入区形成MOS单元开关管源区和漏区，铝(Al)为位线。信息存储主要由第一层多晶硅（Ⅰ）电极、介质膜和硅衬底组成的电容器中的存储电荷(有电荷为1，无电荷为0)来实现。存储在电容器中的电荷因漏电而衰减和消失，因此经过一定时间（再生周期）必须按所存信息加以刷新。这是称为"动态"的由来。这样的单元一般被组合成矩阵，如以字线为行，位线为列，通过行与列的译码器可随机选取各单元地址，进行写入和读出。这种存储器写入和读出的内容、所需的时间原则上与单元的位置无关，是随机存取的。
　　
　　
　　MOS动态随机存储器主要用作大、中型计算机的主存储器，其组织结构一般为若干千字(k)×1位。例如,64k位就是64千字×1位。
　　
　　MOS动态随机存储器的内部电路,大致包括地址缓冲器、行译码器、列译码器、存储单元阵列、读出放大器、数据输入电路、数据输出电路、读－写控制电路、时钟产生电路和衬底偏置电压产生电路等几个部分（图2）。
　　
　　
　　MOS 动态随机存储器的核心电路是存储单元和读出放大器（图3）。读出放大器的两臂通过 b（位线）、（位线）分别连接由不同字线控制的个单元。2ⁿ个单元构成第i列。这一列单元中存储信息可以在列选择线 (Y_i) 的控制下，通过数据总线（I/O、/O）等传送到数据输出端，或按照数据输入端的信息而改变。任一字线n_j=1，...，2ⁿ分别与2ⁿ个列中的一个单元相连接。当2ⁿ个字线中的一个，如W₀被选时,它打开单元开关管Q，导致在单元电容器C_S与位线电容器C_b之间进行电荷再分配,从而使位线b电位改变,而位线的电位并未变化。这就在b、间建立了一个电位差。通常C_b/C_S约为10～20,因这个电位差(墹U)是一个相当小的量,不能直接读出,要经过读出放大器放大。当第i列被选时,单元中存储信息可与数据端(D_i、D₀)建立联系。当第i列未被选时,读出放大器把存储信息恢复并送入单元。
　　
　　
　　行地址信号在行地址选通时钟()的控制下，进入并封锁在地址缓冲器中，它控制行译码器和驱动电路，选中2ⁿ个字线中的一个W_j。于是,该行单元中的信息分别在各自对应列的位线上读出，并经过相应的读出放大器放大。列地址信号在列地址选通时钟()控制下,进入并被封锁在地址缓冲器中，它控制列译码器和驱动电路,选中2ⁿ个列选择线中的一个Y_i。于是,第j行、第i列的单元经过位线（b、）、数据线(I/O，O)与外界建立联系。当集成电路的读写控制端(R/)处于高电平时，数据线(I/O,O)与数据输出电路间连接，于是被选单元的信息由数据输出端D₀读出。当R/处于低电平时，数据输入电路与数据线（I/O、/O）之间存在着通道。被选单元的存储信息随数据输入端的信息而改变。
　　
　　MOS动态随机存储器采用新的单元结构,如用沟壁电容代替平面电容，可进一步减小单元面积，提高集成度。芯片面积的不断增加，而材料和工艺致缺陷密度不能随之降低，因此设计后备电路、采用容错技术是重要的趋势。由于MOS动态随机存储器的存储电容约为50飞法,处理的电荷量仅0.2皮库左右,入射到硅衬底中的α 粒子产生的载流子一旦流到存储结点,往往使MOS动态随机存储器暂时失效，这称为软失效。随着单元面积的不断减小，这个问题就更为明显。引入CMOS技术制造动态随机存储器，是减小α 粒子致软失效的一个有效手段。
　　
　　

参考书目
　　　Jerry Eimbinder,Semiconductor memorier,Mactier Pub.Co., New York, 1971.
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引隐动态与零动态动态分析动态硫化动态特性研究动态动态监控

1) aerobic process 动态氧化 2) kinetic redox 动态氧化还原 1. PHREEQC was applied to simulate the processes of cation exchange and kinetic redox with 1-D groundwater flow. 本文利用该模拟软件对一维地下水流动过程中溶质离子交换反应和动态氧化还原反应进行了模拟。 3) dynamic state 动态 1. A Brief Remark on the Interrelation between Molecular Static State and Dynamic State in Organic Chemistry; 略论有机化学中分子的静态与动态的相互关系 2. The emphasis has been put on the method of controlling silk longth by using high speed register of PLC under the dynamic state. 本文介绍了可编程序控制器(PLC)在扁丝机改造中的应用,重点介绍了动态下利用PLC的高速计数对扁丝机进行定长控制的方法。 3. In order to solve the convergence problem and overcome the difficulties for setting the initial values in the steady state simulation of distillation columns, a combined steady-dynamic state model is proposed by taking the advantage of the distinguishing feature of the implicit integration. 本文为了克服精馏塔静态仿真不易收敛和初值难以给定等难题，巧妙地利用隐含数值积分方法的特点，将稳态与动态数学模型耦合起来，用以求解高难度的非理想精馏塔静态仿真问题。 4) Dynamic 动态 1. Application and Perspective of Dynamic Soft-reduction Technology for Continuous Casting at Meigang; 梅钢连铸动态轻压下技术的应用与展望 2. Analyze and research on dynamic multi-stage countercurrent extraction; 动态连续阶段逆流提取工艺分析与研究 3. Research on the Dynamic Evaluation of Eco-environmental Quality in Anhui Province; 安徽省生态环境质量动态评价研究 5) dynamics 动态 1. Dynamics of Preparative Ion Exchange Chromatography of Amino Acids; 制备型氨基酸离子交换色谱的动态特性 2. Analysis on the Epidemic Dynamics of HFRS in Jiangxi Province; 江西省肾综合征出血热动态分析 3. Structure and dynamics of forest plant diversity in Eastern mountain area of Heilongjiang province; 黑龙江省东部山区森林植物多样性结构与动态的研究 6) development 动态 1. Recent Development on Qzonosphpere Protection; 有关保护臭氧层的最近动态 2. Development and Tendency of Quality Breeding under New Situation of Commercial Maize Breeding; 商业化育种新形势下玉米品质育种动态与走向 3. Finally,the development trends of low expansion alloys are reviewed. 最后综述了低膨胀合金的发展动态。参考词条动态计算动态模拟动态范围动态模型动态变化动态相变动态过程动态淋溶动态监测动态特征动态仿真 Tychononff不动点定理送而不达补充资料：金属-氧化物-半导体动态随机存储器　　具有动态存储信息功能的MOS随机存储器。MOS动态随机存储器多采用双层多晶硅硅栅N沟MOS工艺。存储单元的结构如图1。衬底为 P型（100晶向）硅片，第一层多晶硅（Ⅰ）为MOS电容器的板极，第二层多晶硅（Ⅱ）构成字线,N⁺注入区形成MOS单元开关管源区和漏区，铝(Al)为位线。信息存储主要由第一层多晶硅（Ⅰ）电极、介质膜和硅衬底组成的电容器中的存储电荷(有电荷为1，无电荷为0)来实现。存储在电容器中的电荷因漏电而衰减和消失，因此经过一定时间（再生周期）必须按所存信息加以刷新。这是称为"动态"的由来。这样的单元一般被组合成矩阵，如以字线为行，位线为列，通过行与列的译码器可随机选取各单元地址，进行写入和读出。这种存储器写入和读出的内容、所需的时间原则上与单元的位置无关，是随机存取的。　　　　　　MOS动态随机存储器主要用作大、中型计算机的主存储器，其组织结构一般为若干千字(k)×1位。例如,64k位就是64千字×1位。　　　　MOS动态随机存储器的内部电路,大致包括地址缓冲器、行译码器、列译码器、存储单元阵列、读出放大器、数据输入电路、数据输出电路、读－写控制电路、时钟产生电路和衬底偏置电压产生电路等几个部分（图2）。　　　　　　MOS 动态随机存储器的核心电路是存储单元和读出放大器（图3）。读出放大器的两臂通过 b（位线）、（位线）分别连接由不同字线控制的个单元。2ⁿ个单元构成第i列。这一列单元中存储信息可以在列选择线 (Y_i) 的控制下，通过数据总线（I/O、/O）等传送到数据输出端，或按照数据输入端的信息而改变。任一字线n_j=1，...，2ⁿ分别与2ⁿ个列中的一个单元相连接。当2ⁿ个字线中的一个，如W₀被选时,它打开单元开关管Q，导致在单元电容器C_S与位线电容器C_b之间进行电荷再分配,从而使位线b电位改变,而位线的电位并未变化。这就在b、间建立了一个电位差。通常C_b/C_S约为10～20,因这个电位差(墹U)是一个相当小的量,不能直接读出,要经过读出放大器放大。当第i列被选时,单元中存储信息可与数据端(D_i、D₀)建立联系。当第i列未被选时,读出放大器把存储信息恢复并送入单元。　　　　　　行地址信号在行地址选通时钟()的控制下，进入并封锁在地址缓冲器中，它控制行译码器和驱动电路，选中2ⁿ个字线中的一个W_j。于是,该行单元中的信息分别在各自对应列的位线上读出，并经过相应的读出放大器放大。列地址信号在列地址选通时钟()控制下,进入并被封锁在地址缓冲器中，它控制列译码器和驱动电路,选中2ⁿ个列选择线中的一个Y_i。于是,第j行、第i列的单元经过位线（b、）、数据线(I/O，O)与外界建立联系。当集成电路的读写控制端(R/)处于高电平时，数据线(I/O,O)与数据输出电路间连接，于是被选单元的信息由数据输出端D₀读出。当R/处于低电平时，数据输入电路与数据线（I/O、/O）之间存在着通道。被选单元的存储信息随数据输入端的信息而改变。　　　　MOS动态随机存储器采用新的单元结构,如用沟壁电容代替平面电容，可进一步减小单元面积，提高集成度。芯片面积的不断增加，而材料和工艺致缺陷密度不能随之降低，因此设计后备电路、采用容错技术是重要的趋势。由于MOS动态随机存储器的存储电容约为50飞法,处理的电荷量仅0.2皮库左右,入射到硅衬底中的α 粒子产生的载流子一旦流到存储结点,往往使MOS动态随机存储器暂时失效，这称为软失效。随着单元面积的不断减小，这个问题就更为明显。引入CMOS技术制造动态随机存储器，是减小α 粒子致软失效的一个有效手段。　　　　参考书目　　　Jerry Eimbinder,Semiconductor memorier,Mactier Pub.Co., New York, 1971. 　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com