1) Three Layer Superlattice
三层超晶格
2) superlattice coating
超晶格涂层
3) bilayer superlattice
双层超晶格
1.
The characters of bilayer superlattice Ising model magnetic moment;
双层超晶格伊辛模型磁矩的性质
4) strained-layer superlattice
应变层超晶格
1.
The interface structure of InAs/GaInSb strained-layer superlattice;
InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构
2.
The electronic structures of the(GaN)_n/(AlN)_n strained-layer superlattice under free-standing conditions are calculated with the recursion method.
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构。
3.
X-ray diffraction curves of Ⅱ-Ⅵ compound strained-layer superlattice grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were measured by using computercontroled X-ray diffractometer.
本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期性变化。
5) strained layer superlattice(SLS)
应变层超晶格(SLS)
6) superlattice-buffer
超晶格缓冲层
补充资料：三方晶格
分子式：
CAS号：
性质：三方晶系晶体采用的一种正当晶格型式。选用三方晶格R的前提是必须对三方晶系特征对称性予以确认，即晶体只在惟一高次轴方向存在三重轴或三重反轴。三方R（素）晶格的晶格参数具有a=b=c, α=β=γ<120 ≠90 的特征。三方晶系亦可采用A=B≠C，α=β=90 ，γ=120 的类六方轴系，称作三方H格子。
CAS号：
性质：三方晶系晶体采用的一种正当晶格型式。选用三方晶格R的前提是必须对三方晶系特征对称性予以确认，即晶体只在惟一高次轴方向存在三重轴或三重反轴。三方R（素）晶格的晶格参数具有a=b=c, α=β=γ<120 ≠90 的特征。三方晶系亦可采用A=B≠C，α=β=90 ，γ=120 的类六方轴系，称作三方H格子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条