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1)  facet passivation
腔面钝化
1.
The results show that the power degradation characteristic was improved by the facet passivation.
本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。
2)  surface passivation
表面钝化
1.
Silicon wafer surface passivation for solar cell;
太阳电池用硅片表面钝化研究
2.
The surface modification methods for preventing silver products from tarnishing were summarized, such as surface passivation, surface plating and surface coating.
概述了防止银产品变色的表面改性方法:表面钝化、表面镀膜和表面涂膜,并着重介绍了表面涂膜法。
3.
The latest results of the photoluminescence spectra of porous silicon by surface passivation and laser dye impregnated in porous silicon were presented in this paper.
介绍了多孔硅经表面钝化后,其发光强度和谱线峰位的稳定性,以及多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱等方面的最新成果。
3)  rear surface passivation
背面钝化
1.
The research on rear surface passivation effect of the non-diffused and diffused covered on both sides with different thickness sin films and the lifetime varied after firing.
采用等离子体增强化学沉积的方法(PECVD),在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜,通过准稳态电导法(QSSPCD)测试non-diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命,研究发现,氮化硅薄膜厚度在17 nm左右的时候,背面钝化效果有所下降,超过26 nm的时候,效果基本一致。
2.
Study on the rear surface passivation of solar cells
利用PC1D模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm。
4)  interface passivation
界面钝化
5)  passivation on both faces
双面钝化
1.
Technical measures such as passivation on both faces,localized small-area borondiffusion on the rear face, inverted pyramid structure on the front face as well as zoned diffu-sion with light and dense phosphorus have been adop.
由于电池设计及制作中采用了双面钝化,背面进行定域小面积的硼扩散,正面利用“倒金字塔”结构,同时配以谈磷、浓磷分区扩散等手段,使硅太阳电他的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高,在AM1。
6)  passivation [,pæsi'veiʃən]
表面钝化
1.
The principle, characteristics and functions of surface passivation for MCT IR detectors were presented.
讨论表面钝化的概念、特性和作用 ,比较各类钝化技术及用于碲镉汞红外探测器的适应性。
2.
A novel passivation technology of porous silicon (PS) surface, i.
提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术 ,即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积 (MPCVD)方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。
3.
Basing on analyses of the surface passivation of the HgCdTe PV detector in literatures.
在对HgCdTe光伏器件的表面钝化进行了综述的基础上,重点研究了HgCdTeMIS器件制备中的关键工艺、对MIS器件的性能进行了分析测试、解决了工艺中的几个关键问题(如焊接方法、电极膜种类等)。
补充资料:型腔分型面及浇注系统
一、 分型面:
分开模具能取出塑件的面,称作分型面,其它的面称作分离面或称分模面,注射模只有一个分型面。
分型面的方向尽量采用与注塑机开模是垂直方向,形状有平面,斜面,曲面。选择分型面的位置时,
〈1〉 分型面一般不取在装饰外表面或带圆弧的转角处
〈2〉 使塑件留在动模一边,利于脱模
〈3〉 将同心度要求高的同心部分放于分型面的同一侧,以保征同心度
〈4〉 轴芯机构要考虑轴芯距离
〈5〉 分型面作为主要排气面时,分型面设于料流的末端。
一般在分型面凹模一侧开设一条深 0.025 ~ 0.1mm 宽1.5~6 mm的排气槽。亦可以利用顶杆,型腔,型芯镶块排气
二、 浇注系统
浇注系统是指模具中从注射机喷嘴接触处到型腔为止的塑料熔体的流动通道。作用:〈1〉输送流体 〈2〉传递压力
〈一〉 浇注系统的组成及设计原则
1、 组成:由主流道,分流道,内浇口,冷料穴等结构组成。
2、 浇注系统的设计原则:
〈1〉 考虑塑料的流动性,保征流体流动顺利,快,不紊乱。
〈2〉 避免熔体正面冲出小直径型芯或脆弱的金属镶件。
〈3〉 一模多腔时,防止大小相差悬殊的制件放一模内。
〈4〉 进料口的位置和形状要结合塑件的形状和技术要求确定。
〈5〉 流道的进程要短,以减少成型周期及减少废料。
〈二〉 主流道设计
指喷嘴口起折分流道入口处止的一段,与喷嘴在一轴线上,料流方向不改变。
(1) 便于流道凝料从主流道衬套中拔出,主流道设计成圆锥形 。
7-15 锥角 =2°~ 4°粗糙度Ra≤0.63 与喷嘴对接处设计成半球形凹坑,球半径略大于喷嘴头半经。
(2) 主流道要求耐高温和摩擦,要求设计成可拆卸的衬套,以便选 用优质材料单独加工和热处理。
(3) 衬套大端高出定模端面 5~10mm ,并与注射机定模板的定位孔成间隙配合,起定位隙作用。
(4) 主流道衬套与塑料接触面较大时,由于腔体内反压力的作用使衬套易从模具中退出,可设计定住 。
(5) 直角式注射机中,主流道设计在分型面上,不需沿轴线上拔出凝料可设计成粗的圆柱形。
〈三〉 分流道设计
指塑料熔体从主流道进入多腔模各个型腔的通道,对熔体流动起分流转向作用,要求熔体压力和热量在分流道中损失小。
(1)分流道的截面形式:
a、 图形断面:比表面积小(流道表面积与其体积之比),热损失小,但加工制造难,直径 5~10mm
b、 梯形:加工较方便,其中h/D = 2/3 ~ 4/5 边斜度 5~15°
c、 u形:加工方便,h/R=5/4
d、 半圆形:h/R=0.9
(2) 分流道的断面尺寸要视塑件的大小,品种注射速度及分流道的长度而定。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条