2) Phosphorus diffusion
磷扩散
1.
This paper aims for power semiconductor devices characteristics and technologic trait, puts forward a phosphorus diffusion model which applies to power semiconductor devices.
针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA4对该模型进行计算,计算的结果与SUPREM IV。
2.
The effects of rapid thermal processing (RTP) upon phosphorus diffusion in silicon during the fabrication of the emitter of solar cell were investigated.
扩展电阻和方块电阻测试结果显示,950℃和1100℃下,短时间的RTP处理得到了在常规热处理条件下长时间才能得到的pn结结深,说明RTP对磷扩散有明显的促进作用。
3) point sources diffusion
点源扩散
4) multiple-source diffusion
多源扩散
5) line source dispersion
线源扩散
6) beam source
扩散束源
补充资料：扩散束源
分子式：
CAS号：
性质：产生分子束的装置。可分为隙流束源和超声分子束源。隙流束源(effusive beam source)是采用加热的方法使分子(如钠)蒸发，从狭缝中射出，经一准直孔把发散的分子挡掉，可得一束较窄而直的分子束射向反应室。束源出口小孔的尺寸要小于束源内分子热运动的平均自由程，束源内分子速度是按玻尔兹曼分布，分子速度分布相对较宽，发散角大，因而束强较小。隙流束源又称热束源、扩散束源、炉束源等。超声分子束源(supersonic molecular beam)气体分子从喷嘴射出，经出口孔、准直器进入真空室。其特点是束源强度大，沿轴线方向流动使束的发散性得到抑制；由于向真空绝热膨胀，温度可降低到小于20K；速度分布窄。由于马赫数M(=束流速度/声速)可达几十(超音速)，故又称超声分子速。分子束的强度即束强(beam intensity)，是单位时间通过与入射束运动方向相垂直的单位面积的粒子数。束流(beam flux)是单位时间内射到检测器上的粒子数，也称通量。
CAS号：
性质：产生分子束的装置。可分为隙流束源和超声分子束源。隙流束源(effusive beam source)是采用加热的方法使分子(如钠)蒸发，从狭缝中射出，经一准直孔把发散的分子挡掉，可得一束较窄而直的分子束射向反应室。束源出口小孔的尺寸要小于束源内分子热运动的平均自由程，束源内分子速度是按玻尔兹曼分布，分子速度分布相对较宽，发散角大，因而束强较小。隙流束源又称热束源、扩散束源、炉束源等。超声分子束源(supersonic molecular beam)气体分子从喷嘴射出，经出口孔、准直器进入真空室。其特点是束源强度大，沿轴线方向流动使束的发散性得到抑制；由于向真空绝热膨胀，温度可降低到小于20K；速度分布窄。由于马赫数M(=束流速度/声速)可达几十(超音速)，故又称超声分子速。分子束的强度即束强(beam intensity)，是单位时间通过与入射束运动方向相垂直的单位面积的粒子数。束流(beam flux)是单位时间内射到检测器上的粒子数，也称通量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条