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1)  Enhanced surface superconductivity
表面增强超导电性
2)  cumulation-layer capacitance
表面增强层电容
3)  conductive reinforcement
导电性增强剂
4)  surface strengthening
表面增强
1.
Comparison of different dental ceramic surface strengthening methods;
离子交换与常用陶瓷表面增强技术的对比研究
2.
The Effect of Ion-Exchange Technique on Surface Strengthening of Dental Ceramics;
离子交换对常用牙科陶瓷表面增强效果的研究
5)  surface enhanced hyper-Raman scattering (SEHRS)
表面增强的超拉曼散射
6)  SELDI/ionization
表面增强激光解吸/电离
补充资料:表面超导电性(surfacesuperconductivity)
表面超导电性(surfacesuperconductivity)

表面超导电性是在稳恒磁场中大样品超导体在边界约束条件下发生在表面的广义低维宏观量子现象。对第二类超导体,表面超导相发生磁场H在Hc2<H≤Hc3,Hc2和Hc3分别是第二和第三临界磁场。对GL参量K在0.707>K>0.419的第一类超导体,在Hc<H≤Hc3时可发生稳定的表面超导相,Hc是热力学临界磁场。对K<0.419的第一类超导体,这时Hc3<Hc,则表面超导相不存在或是不稳定的。Hc3是表面刚开始出现有成核的超导相,在此又称(表面)成核(磁)场,对应的表面超导相简称成核相。在理论上,一般均用线性化的GL方程和GL边界约束条件来研究。对磁场垂直于表面的半无限空间超导体和超导平板,由于对应最低本征能量`|\alpha|=\hbar\omega//2=E_0`的本征函数(序参量)ψ自然满足边界约束条件就不显现有表面超导电性,此时表面法线方向与磁场平行。这里$\hbar$为除以2π的普朗克常数,ω是库珀电子对在磁场中作圆运动的圆频率,同样称郎道(Landau)频率。此时相应的临界磁场是Hc2,而非Hc3。磁场不垂直于上述样品表面时则可显现有表面超导电性,且在平行于表面的磁场中最为显著,Hc3最高,此时表面法线方向与磁场垂直,这是因为对应E0的本征态ψ不满足边界约束条件,而另有比E0更低的能值所对应的非本征态ψ来满足,所以存在比Hc2更高的临界场Hc3。对超导球体,表面成核超导相发生在H≈Hc3赤道两边宽约2ξ,厚约ξ的圆线条形区域,称表面超导鞘,即发生在其表面法线方向正好与磁场方向垂直之处及其邻近2ξ范围,ξ为相干长度。随着磁场由Hc3逐渐减小至Hc2(或Hc),超导鞘(准一维)向两极增宽为球带曲面(准二维)最终到达两极而样品开始转入混合态(或中间态)。两极表面法线方向与磁场方向是平行的。由此可见,表面超导相区域的变化是与这两个方向间的夹角有关的。对纵向磁场中的超导圆柱体,则表面成核相布满圆柱纵表面,对第二类超导体,一直到Hc2以下样品转入混合态后还保持着,称超导表面壳层的持续性,乃至可保持到接近Hc1。对其他形状样品在纵向场中也有这种类似情况。对横向磁场(与x-轴平行,圆柱中心柱轴为z轴)中的超导圆柱体,则表面成核相发生在极角$\varphi=\pi//2$和3π/2处的二个准线条形(准一维),随着从Hc3逐渐降低磁场,两线条各自向两边增宽为准二维柱面曲面,到接近Hc2时,两曲面在$\varphi=0$和π处靠拢弥合时样品转入混合态或中间态。徐龙道等在GL理论基础上用最概然有效约束波函数方法从理论上阐明了以上一系列实验现象和结果,并可解释任意形状大样品的成核情形。表面超导电性也是一种无能隙的超导电现象。

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