1) Low temperature Si buffer layers
低温Si缓冲层
2) low temperature buffer layer
低温缓冲层
1.
Molecular Beam Epitaxy (MBE) has been used to grow InSb heteroepilayer on GaAs (001) substrate with optimized low temperature buffer layer.
本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)与X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌与结晶质量。
3) double low-temperature buffers
双低温缓冲层
4) low temperature InP buffer
低温InP缓冲层
1.
High-quality InP epilayers were grown on GaAs substrates by using the ultrathin low temperature InP buffer layer.
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0。
5) Low temperature buffer technique
低温缓冲层技术
6) temperature of buffer layer
缓冲层温度
补充资料：缓冲层
分子式：
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
CAS号：
性质：斜交轮胎胎面与胎体之间的胶布层或胶层。其主要作用是缓和外来冲击，防止外层胶的龟裂直接抵达胎体帘布层，并承受轮胎在行驶时或突然停止时，由于惯性作用而产生的剪切应力。为此，它应具有较好的导热性、耐老化性、多次变形下的耐疲劳性和低生热性及耐热性等。所用的帘线强度必须高于胎体帘线。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条