1) InGaAsP/InP heterostnjcture
InGaAsP/InP异质结构
2) InGaAsP/InP double heterostructures
InGaAsP/InP双异质结构
3) InGaAsp/InP heterojunction
InGaAsp/Inp异质结
4) InP heterostructure
InP异质结
5) InP double heterojunction bipolar transistor
InP双异质结双极晶体管
1.
A physical model of small-signal InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is developed,which takes into account the base-emitter and collector-emitter metalisations by using two additional capacitances C_mb and C_mc.
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题。
6) InP/InGaAsP Multiple Quantum Well
InP/InGaAsP多量子阱
补充资料：镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
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参考词条