1) multilayer chip varistors
叠层片式压敏电阻
1.
This paper studies the microstructures of multilayer chip varistors by using optical microscope(OM),scanning electron microscope(SEM)and the EDAX analysis.
通过光学显微镜、扫描电镜观察及能谱分析等方法,分析研究了叠层片式压敏电阻器(MLV,mutilayer varistor)的微观结构。
2) multilayer chip varistor
多层片式压敏电阻器
1.
The low firing multilayer chip varistor(MLCV)with high properties can be manufactured by being co-fired with 10% Pd-90% Ag internal electrodes at 880℃.
研究发现适当地使用部分超细 ZnO 粉体,改善 ZnO 粉体的颗粒分布,再使用适量的磷酸酯作为分散剂,可以流延制得较致密、平整、均匀的膜片,从而制得瓷体的致密性较高,且非线性系数较高、漏电流较低、峰值电流及能量耐量较高的多层片式压敏电阻器;而 ZnO 粉体颗粒粒径太大及过细,都会影响膜片的质量,进而影响多层片式压敏电阻器的性能。
4) chip varistor
片式压敏电阻器
1.
It was relatively difficult to manufacture small chip varistors which had high voltage and current.
用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。
5) chip multilayer ZnO varistors
片式ZnO压敏电阻器
6) ZnO varistor
ZnO压敏电阻片
1.
In this paper, research works on the improvement of the voltage gradient and energy-handling capability of the ZnO varistors are reviewed.
本文针对1000kV交流系统和±800kV直流系统中各种避雷器对安全可靠性、重量轻、体积小型化的要求,总结了国内外竞相开展的提高ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力的研究开发工作。
2.
In order to better meeting the requirements of metal oxide surge arrester for high reliability,lightweight and small size the essential topic is enhancement of electric stress and energy withstand capacity of ZnO varistor.
为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。
补充资料：压敏电阻器
具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零；超过此阈值时，电流值随端电压的增大而急剧增加。压敏电阻器的非线性伏安特性是由压敏体（或称压敏结）电压降的变化而引起的，所以又称为非线性电阻器。表中列出常见的压敏电阻器的类别。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条