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1)  middle frequency unbalance magnetron sputtering
中频非平衡磁控溅射
1.
The TiN thin films on 316L are prepared by middle frequency unbalance magnetron sputtering plating(MF-UBMSP).
采用中频非平衡磁控溅射技术在奥氏体不锈钢316L基底上沉积TiN薄膜。
2)  unbalanced magnetron sputtering
非平衡磁控溅射
1.
Characteristics of titanium-doped diamond-like carbon films deposited by unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射Ti掺杂类金刚石薄膜的基本特性
2.
The research on half-analytical method in calculating the magnetic field of unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射系统磁场的半解析法
3.
Effect of Al content on properties of Ti_(1-x)Al_xN hard film prepared by unbalanced magnetron sputtering;
Al含量对非平衡磁控溅射制备Ti_(1-x)Al_xN膜性能的影响
3)  Magnetron/unbalanced
磁控溅射/非平衡
4)  unbalanced magnetron sputtering(UBMS)
非平衡磁控溅射(UBMS)
5)  unbalanced reactive magnetron sputtering
非平衡反应磁控溅射
1.
TiN/AlN nano-multilayer films were deposited by an ion-beam aided unbalanced reactive magnetron sputtering system.
采用一种新型的离子束辅助非平衡反应磁控溅射设备制备了TiN/AlN纳米多层复合膜。
6)  ECR unbalanced magnetron sputtering
ECR非平衡磁控溅射
补充资料:磁控溅射
分子式:
CAS号:

性质:用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场,在磁场作用下,电子被约束在一个环状空间内,形成高密度的等离子环。在等离子环内,电子不断地使Ar原子变成Ar离子,Ar离子被加速后打向靶表面,把靶内的原子溅射出来,沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体,溅射电源可用直流或射频电源,如靶材是绝缘体,则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上,称为正轴溅射,基片放在靶轴线外;称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。

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参考词条