1) MA-CBD
微波辅助化学浴沉积
1.
A rapid synthesis route for the preparation of Cadmiun sulphide (CdS) thin film has been developed, which is microwave-assisted chemical bath deposition (MA-CBD).
采用微波辅助化学浴沉积法快速制备了硫化镉薄膜(CdS),并对薄膜进行了X射线衍射(XRD)、紫外透射和吸收光谱的测试和分析。
2) microwave plasma enhanced chemical vapor deposition
微波等离子体辅助化学气相沉积
3) Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition(MPECVD)
微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)
4) microwave-assisted chemical coprecipitation methods
微波辅助化学共沉淀法
1.
In this paper,NiZn,LiZn ferrite powder were prepared by Sol-Gel method and microwave-assisted chemical coprecipitation methods,Orthogonal test was done by using Citric acid ratio,pH,sintering time,sintering temperature as factors,and grain size as reference indicator.
本文采用溶胶凝胶法和微波辅助化学共沉淀法制备出NiZn、LiZn铁氧体粉料,通过正交试验,以粒径尺寸为参考指标,柠檬酸比(A)、形成凝胶pH值(B)、烧结时间(C)、烧结温度(D)为因素建立了4因素3水平的正交试验表。
5) seed-assisted chemical bath deposition
籽晶辅助化学水浴沉积法
1.
ZnO nanorod arrays were prepared by seed-assisted chemical bath deposition,in which the c-axis oriented ZnO films prepared by magnetron sputtering were used as the seed layers.
采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。
6) chemical bath deposition
化学浴沉积
1.
Kinetic studies were carried out on the CaWO4 thin films prepared by the chemical bath deposition(CBD).
对化学浴沉积法制备的CaWO4薄膜进行了动力学研究。
2.
ZnO thin films were grown on glass substrate by microwave irradiation assisted chemical bath deposition (MW-CBD).
采用微波辅助化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜。
3.
PbSe polycrystalline thin films were synthesized on quartz glass by chemical bath deposition(CBD) with selenourea and selenium,individually.
分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。
补充资料：微波等离子体化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
CAS号：
性质：用微波等离子体激活化学反应，进行气相沉积的技术。微波等离子体增强了气体反应活性，加速气相分解反应和表面原子的迁移，使沉积过程可以在较低生长温度下进行。常用设备在一低压化学气相沉积(CVD)反应管上交叉安装一共振腔和与之匹配的微波发射器。在CVD反应管中被共振腔包围气体可通过微波作用形成等离子体，微波频率通常为2.45GHz，发射功率通常在几百瓦至1kW以上。该方法对于低熔点和高温下不稳定的化合物的薄膜生长更为合适。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条