1) [I-V] compound semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
2) Ⅱ-Ⅵ oxide semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体
3) Ⅱ-Ⅵ semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族半导体
1.
The scattering characteristics of the Ⅱ-Ⅵ semiconductor were analyzed by a method which combines the second-order finite-element method with the rigorous mode matching procedure.
用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。
4) Ⅱ-Ⅵ compounds
Ⅱ-Ⅵ族化合物
1.
First-principles study on the two and three-body interatomic potentials of Ⅱ-Ⅵ compounds;
Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间两体及三体相互作用势的理论研究
2.
A First-Principles Study on the interatomic potentials of Ⅱ-Ⅵ compounds;
Ⅱ-Ⅵ族化合物原子间两体势的第一性原理研究
5) Ⅱ-Ⅵ semiconductors
Ⅱ-Ⅵ半导体
6) Ⅱ-Ⅵ group semiconductor quantum dots
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点
1.
Ⅱ-Ⅵ group semiconductor quantum dots(QDs) and QDs/polymer nanocomposites have attracted considerable interests because of their unique photocatalystic,optical and optoelectronic properties.
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其聚合物纳米复合材料在光催化剂、电致或光致发光器件等方面都有优异的表现。
补充资料：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
Ⅲ - Ⅴ compound semiconductor material
材料中占首位。 20世纪20年代开始合成lV族化合物，在1952 年德国人韦尔克(H.Welker)系统地研究了该族化合 物，指出了它们的半导体性质，随后发展很快。在工艺 上已能制备出直径大的砷化稼、碑化稼、碑化锢、砷化 锢、锑化锢、锑化稼的单晶，其中砷化稼单晶直径已达 争15omm。用外延法已制出各种皿一V族化合物及其固 溶体薄膜，并对其性质与应用进行了深入地研究。表中 示出了卜V族化合物的主要性质。 由表中可以看出一些化合物特点是具有直接带san一wuzu huohewu匕。ndoot，Cail旧。隙，一些化合物具有高的迁移率。如图示出主要巫一vl一V族化合物半导体材料(，一v compound族化合物的带隙、晶格常数与发射波长之间的关系，从semicondutor material)由元素周期表中的IA族一个方面说明了应用可选择的范围。l一V族化合物半与VA族构成的化合物半导体材料。它是重要的半导导体的主要应用领域为超高速器件、光电子器件。体材料，在其产量及应用范围等方面，在化合物半导体 l一v族化合物的性质红口一 注:D一直接带隙;I一间接带隙。 AIP -一。AIP____ 2，4卜舟袱策二一一一一一一一一一一一0，5 17 2 .0十么1么。‘\.、、弓0石20 16r、I、\1、、珊0.775 、GaAs卜议J.八含\入于、!， 欣u~口卜，饭_‘为\!\1日 三12L又、Inr\\I\」1.033乡 闷l、、\、，\l叹 0名卜、‘、、!。二只卜\」1 .550 0.sb}、、丫r一~、、I 0.4L，、界n八s、、\」3.1弓M〕 Insb厂““‘、、、一一~二，七l 。饰岔啡亩一恤产随十飞扩瑞’nsb 忽轰鬓鬓飞鬓聋澡握 晶格常数/nm l一v族化合物的带隙、晶格常数之间的关系 (万群)__一，_._、一_二、~。_._._。__._，，.二.、~.。
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参考词条