1) Side-passivation
侧面钝化
2) Sidewall passivation
侧壁钝化
3) side-wall passivation
侧向钝化
1.
A new MWIR 320×256 HgCdTe micro-mesa device fabricated by LPE P-type HgCdTe film growth,B ion implantation,deep mesa dry-etching,side-wall passivation and metallization technologies are reported.
文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5。
4) surface passivation
表面钝化
1.
Silicon wafer surface passivation for solar cell;
太阳电池用硅片表面钝化研究
2.
The surface modification methods for preventing silver products from tarnishing were summarized, such as surface passivation, surface plating and surface coating.
概述了防止银产品变色的表面改性方法:表面钝化、表面镀膜和表面涂膜,并着重介绍了表面涂膜法。
3.
The latest results of the photoluminescence spectra of porous silicon by surface passivation and laser dye impregnated in porous silicon were presented in this paper.
介绍了多孔硅经表面钝化后,其发光强度和谱线峰位的稳定性,以及多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱等方面的最新成果。
5) rear surface passivation
背面钝化
1.
The research on rear surface passivation effect of the non-diffused and diffused covered on both sides with different thickness sin films and the lifetime varied after firing.
采用等离子体增强化学沉积的方法(PECVD),在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜,通过准稳态电导法(QSSPCD)测试non-diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命,研究发现,氮化硅薄膜厚度在17 nm左右的时候,背面钝化效果有所下降,超过26 nm的时候,效果基本一致。
2.
Study on the rear surface passivation of solar cells
利用PC1D模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm。
6) interface passivation
界面钝化
补充资料：侧面
1.旁边的一面。区别于正面和背面。 2.从旁边见到的脸容。 3.转脸不以正面向人。 4.指构成总体的某一个方面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条