1) film bulk acoustic resonator(FBAR)
薄膜腔声谐振器
2) FBAR
薄膜体声波谐振器
1.
Design of ladder-type RF filters based on FBARs;
薄膜体声波谐振器的梯形射频滤波器设计
2.
Thin Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR) Technology and Its Applications;
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
3.
A film bulk acoustic resonator(FBAR) and its fabrication process were presented.
介绍了一种薄膜体声波谐振器和它的制备流程。
3) film bulk acoustic resonator
薄膜体声波谐振器
1.
A high-Q diaphragm-structure film bulk acoustic resonator(FBAR)wit h a flat support diaphragm,made of Si3N4/SiO2/Si3N4 composite films,is proposed.
研制了一种采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持薄膜的高Q薄膜体声波谐振器。
4) film bulk acoustic resonator (FBAR)
薄膜体声波谐振器(FBAR)
5) FBAR
薄膜声体波谐振器
1.
At the same time, thin Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) develops rapidly.
薄膜声体波谐振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)滤波器发展迅速,与传统的声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave,SAW)和陶瓷滤波器相比,它具有工作频率高、功率容量大、尺寸小的优势,将成为未来用于无线通信终端的主流滤波器。
6) film resonator
薄膜谐振器
1.
Mechanical properties of MEMS film resonator analyzed by equivalent model;
等效模型分析微机械薄膜谐振器的力学特性
补充资料：电磁谐振腔
| 电磁谐振腔 electromagnetic resonant cavity 微波波段的谐振电路。通常在波导的两端用导电板短路而构成的封闭腔体 。电磁场被限制在腔内，没有辐 射损耗，谐振腔的品质因数Q值较高。随着谐振频率的提高，要求腔体的尺寸减小 ，致使损耗加大 ，Q 值下降，所以在毫米波、亚毫米波还采用开放腔。在理想的无耗谐振腔内，任何电磁扰动一旦发生就永不停歇。当扰动频率恰使腔内的平均电能和平均磁能相等时便发生谐振，这个频率称为谐振频率。腔内的电磁场可根据腔的边界条件求解麦克斯韦方程组而得出，它是一组具有一定正交性的电磁场模式的叠加。按波导两端被短路的观点，腔内的电磁场也可认为是波在腔壁上来回反射而形成的驻波场。当腔长等于某种模式的1／2波导波长整数倍时，该模式发生谐振，称为谐振模。谐振腔和外电路的能量耦合方式有：环耦合、探针耦合和孔耦合。谐振腔的主要参数是谐振频率f 和品质因数Q。谐振频率决定于腔的形状、尺寸和工作模式。谐振腔的有载品质因数Q由谐振腔的内部损耗和外部损耗决定。内部损耗取决于腔壁导体的损耗和腔内介质的损耗，外部损耗取决于通过耦合元件反映的外电路负载情况。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条