1) Si/Ge low dimensional structure
锗硅低维结构
2) SiGe/Si structure
硅锗/硅结构
3) SiGe heterostructure
锗硅异质结构
4) low-dimensional structure
低维结构
1.
Zinc oxides with low-dimensional structures are becoming one of the most promising cathode materials for field emission for their negative electron affinity, uniform and stable structure, plentiful and controllable morphology, good behaviors of mechanical and chemical stability.
结合作者实验室的工作,综述了近年来迅速发展的ZnO低维结构的场发射特性以及制备方法、形貌结构、排列及密度、表面吸附、掺杂和热处理等因素对其场发射性能的影响,介绍了四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)作为场发射阴极材料的优势。
2.
In low-dimensional structures, charged carriers are confined to certainenergy levels, enhancing exciton oscillator strength and light-emitting efficiency.
特别是近年来纳米技术的兴起引起人们对低维结构性质的极大兴趣。
3.
It can be used to perform Raman investigation on the low-dimensional structure materials and devices to the nano scale.
喇曼-原子力显微镜(Raman-AFM)是一种基于探针增强喇曼散射效应(TERS)的新型形貌表征与光电测试设备,能够在纳米尺度上对低维结构材料与器件进行喇曼研究。
5) SiGe strained layer heterostructure
锗硅应变层异质结构
6) Germanium Oxide nanostructures
氧化锗一维纳米结构
补充资料：低锗锰铜合金
分子式：
CAS号：
性质： 含锗较低的锗锰铜合金。成分为锗0.5％～2％，锰8％～10％，其他20％，铜余量。电阻率35×10-8Ω·m。平均电阻温度系数±3×10-6℃-1(20℃)。平均对铜热电动势≤1.0μV/℃。密度8.6g/cm3。熔点920℃。抗拉强度392～441MPa。延伸率2％。
CAS号：
性质： 含锗较低的锗锰铜合金。成分为锗0.5％～2％，锰8％～10％，其他20％，铜余量。电阻率35×10-8Ω·m。平均电阻温度系数±3×10-6℃-1(20℃)。平均对铜热电动势≤1.0μV/℃。密度8.6g/cm3。熔点920℃。抗拉强度392～441MPa。延伸率2％。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条