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1)  dual-layer passivation
双层钝化
2)  double layer passiviation black coating
双层黑色钝化膜
3)  passivation on both faces
双面钝化
1.
Technical measures such as passivation on both faces,localized small-area borondiffusion on the rear face, inverted pyramid structure on the front face as well as zoned diffu-sion with light and dense phosphorus have been adop.
由于电池设计及制作中采用了双面钝化,背面进行定域小面积的硼扩散,正面利用“倒金字塔”结构,同时配以谈磷、浓磷分区扩散等手段,使硅太阳电他的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高,在AM1。
4)  passive layer
钝化层
1.
The results show that the electrolyte density has remarkable influence on the deep cycling performance and the special alloy also provides a good effect,but on the interface of grid and active material still exists a passive layer.
为提高蓄电池的深循环寿命性能 ,对电解液密度、板栅合金、电解液添加剂A等因素对正极板深循环性能的影响进行了实验探讨 ,发现电解液密度过高时对正极活性物质深循环性能有显著影响 ;专用合金I的深循环效果良好 ,但在板栅与活性物质界面仍会出现一定程度的钝化层 ,不利于蓄电池的深循环性能 ;电解液添加剂A对板栅与活性物质界面的钝化层有明显的改善作用 ,从而提高正极板深循环性
2.
Delami-nation causes the damage of passive layer.
研究表明:分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面,并有向整个芯片区域延伸的趋势;应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏,而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区,同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区,使互连发生短路而损坏器件。
5)  Passivation layer
钝化层
1.
The value of pulsed laser energy-equivalent heavy-ion LET has been theoretically analyzed with respect to the impact of a passivation layer on device surface on the equivalent calculation between pulsed laser energy and heavy ion in laser simulation of Single-Event Effects.
介绍了激光模拟单粒子效应实验中,脉冲激光能量等效重离子线性能量传输(LET)值的理论计算方法,分析了器件表面钝化层对脉冲激光能量和重离子LET等效性计算的影响。
2.
Tin could change electronic conductivity of the passivation layer.
锡能改变钝化层的电子导电性 ,通过在不同电位和各种极化时间下电化学阻抗的测量来研究电子导电性与钝化层形成条件的关系。
3.
The effect of passivation layer by measuring stress was investigated.
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。
6)  passivation [,pæsi'veiʃən]
钝化层
1.
The relationship between reverse breakdown characteristics of gate-gain and slow trap charges in the interface between passivation layer and semiconductor has been studied by testing gate-gain capacitance of GaAs MESFETs directly using C-f and HF C-V methods.
用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。
2.
In this paper,the technology of removal of passivation, metallization,dielectric layer was introduced including chemical corrosion,reactive ion etching and FIB etching.
本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。
补充资料:Riemann曲面的双层


Riemann曲面的双层
double of a Rtemam surface

R七na旧曲面的双层【d阅盛ofaR班”创口.溯面伙;口y-叙‘入Mao.阅亩。璐ePxHocT。」 有限R让”lann曲面(Ri日rr团Ins也faCe)R的一个双叶硬盛曲面(co祀nngs也企Ce)以每个内点p〔R对应于双层w的一对点p和瓦换言之,两个共扼点p和下位于p上.R的边界上的每个点q对应于一点q‘w.此外,点p,万。w的两个不相交邻域位于一个内点p“R的每个邻域之上.如果z是内点p任R的一个邻域中的局部单值化参数(1o司训ifo爪斌乙ng Pa~ter),则它也是W的位于p上的两个共扼点之一的一个W邻域,例如点P任W的一个w邻域中的局部单值化参数;于是在共扼点万的一个w邻域中,变量:的共扼复数万就是一个局部单值化参数.如果2是R的边界点q处的局部单值化参数,则在W的一叶上等于z而在另一叶上等于万的变量就是位于该边界点之上的点q任W的一个局部单值化参数. 在紧可定向Rjen坦rm曲面R的情形中,其双层简单地由两个紧可定向R渝narm曲面组成,因而双层的研究不再有什么意义.在所有其他情形中,Rlen坦叮n曲面的双层是紧可定向Rlen州Lnn曲面.用这一事实可把R上函数的研究归结为W上函数的研究,从而简化R上函数论的某些问题的探讨.W的亏格(见曲面的亏格(邵nus of as扭face))是夕+脚一1,其中召是尺的亏格,川是R的边界的分支(假定它不退化)数.例如,单连通平面区域的双层是球面,而爪连通平面区域的双层是具有川一1个环柄的球面. R心rr以nn曲面R上的解析微分(见R妇.1.1曲面上的微分(d江re脚甸。n aR七maxins以企印))是其双层评上由下述事实刻画的解析微分:它在评的共扼点处取共扼值而在位于R的边界点上的点q‘体处取实值【补注】构造双层RieIT坦叮n曲面的过程称为加倍(duP-五口石朋).这种过程可应用于任一具有边界(见边界(流形的)(加训山叼(ofa甘曰恤fold)”的连通二维流形(t卿~dinl沈招沁mlrr坦nifold)M以作出M到一个连通二维流形的正则嵌人(见【AI],芍13.H).
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参考词条