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1)  Positron annihilation analysis
正电子湮没分析
2)  PASCA
化学分析正电子湮没谱
1.
PASCA(Positron annihilation spectroscopy for chemical analysis),in conjunction with NH_3-TPD(NH_3-temperature programmed desorption),XPS(X-ray photoelectron spectroscopy), XRD(X-ray diffraction),and N_2 physics-sorption(BET),was used to study the preparation of Al_2O_3 and Ni/Al_2O_3 wax hydrofining catalysts.
采用化学分析正电子湮没谱(PA SCA),氨吸附-程序升温脱附(NH3-TPD),电子能谱(XPS),X光衍射(XRD)和低温氮物理吸附(BET)等技术,研究了A l2O3载体及N i/A l2O3石蜡加氢精制催化剂的制备过程和条件。
3)  Positron annihilation
正电子湮没
1.
Positron annihilation study on free volume properties in epoxy resin/shell particles composites;
环氧树脂/贝壳粉复合材料的自由体积特性的正电子湮没研究
2.
Study on oxygen doping Y_(0.8)Ca_(0.2)Ba_2Cu_3O_y superconductors and O-T transition by positron annihilation experiment;
氧掺杂Y_(0.8)Ca_(0.2)Ba_2Cu_3O_y超导体正交-四方相变的正电子湮没实验研究
3.
Study on colorific mechanism of topaz after irradiated by positron annihilation technique;
用正电子湮没技术研究黄玉的辐照变色机理
4)  positron annihilation technique
正电子湮没
1.
The electronic momentum in graphite and nanocrystalline carbon have been studied by positron annihilation techniques.
测量了石墨和纳米碳样品沿不同方向的正电子湮没辐射Doppler展宽谱,研究样品中电子动量分布。
2.
Electron-beam was used to radiate BaO-SrO-TiO2-SiQ2 glass system and then positron annihilation technique was used to study the defect of BSTS glass structure caused by the radiation.
利用电子束对BaO-SrO-TiO2-SiO2基础玻璃系统进行辐照,采用正电子湮没方法研究了辐照对BSTS玻璃结构造成的缺陷。
5)  electron-positron annihilation
电子正电子湮没
6)  positron annihilation lifetime
正电子湮没寿命
1.
Formation of thermal vacancies in Fe-6.5wt.%Si alloy studied by positron annihilation lifetime spectra
基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成
2.
35 has been investigated by positron annihilation lifetime method in the temperature region between 77 K and 295 K.
35范围采用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0。
3.
Microstructure of homemade modified 316L stainless steels and its thermal annealing behavior are studied by the positron annihilation lifetime technique.
采用正电子湮没寿命方法研究了国产改进型316L不锈钢的微结构及其温度变化。
补充资料:正电子湮没谱学
      一种研究物质微观结构的方法。正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质(静止质量、电荷的电量、自旋)都相同。正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子(见电子对湮没)。50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究,表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展,可以对正电子的湮没特性进行精细的测量,从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。现在,正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
  
  实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
  
  正电子寿命谱方法  通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统,称之为正电子寿命谱仪(见彩图),图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右,最好的已达1.7×10-10s。
  
  22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡",并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中,自由正电子湮没的平均寿命在(1~5)×10-10s范围内。
  
  双γ角关联方法  图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源),典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
  
  测量多普勒增宽谱  使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器,测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV(对85 Sr,514keV的γ射线)左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源,获取数据快,适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙,对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好,典型情况下差四倍。
  
  正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷(空位、位错和辐照损伤等),固体中的相变,金属有序-无序相变等。
  
  在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应,鉴定有机物结构中的碳正离子,研究聚合物的微观结构等。在生物学中,研究生物大分子在溶液中的结构。医学上,用正电子发射断层扫描仪,可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像,研究它们的新陈代谢过程,作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。(见彩图)
  
  电子偶素作为惟一的轻子体系,是验证量子电动力学的一个理想的体系。
  

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参考词条