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1)  poly-3-methoxythiophene
聚3-甲氧基噻吩
2)  poly-3-alkoxythiophene
聚3-烷氧基噻吩
3)  Poly(3-methylthiophene)
聚3-甲基噻吩
1.
The Q-CdS, Q-PbS quantum dot were formed in situ on the nanocrystalline TiO2 electrode using chemical bath deposition techniques and the poly(3-methylthiophene) (PMeT) was prepared with electro- chemical method on TiO2/Q-CdS (Q-PbS) film.
用光电化学方法研究了PMeT修饰Q-CdS,Q-PbS连接TiO2纳米结构膜,实验结果表明,PMeT和Q-CdS,Q-PbS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-CdS,Q-PbS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO2的光电转换效率有明显的提高;聚3-甲基噻吩(PMeT)与Q-CdS,Q-PbS连接的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结。
2.
The experimental results showed that photocurrent produced by the poly(3-methylthiophene) (PMeT) modified titanate nanotubes and the poly(3-hexylthiophene) (P3HT) modi- fied titanate nanotubes was higher than that of the pure titanate nanotubes.
结果表明,聚3-甲基噻吩[poly(3-methylthiophene),PMeT]、聚3-己基噻吩[poly(3-hexylthiophene),P3HT]修饰钛酸盐纳米管后产生的光电流均较纯钛酸盐纳米管的光电流高,且使产生光电流的波长向长波区移动。
3.
The photoeleetrochemieal properties of the pure CdSe nanorods and CdSe nanorods modified with poly(3-Methylthiophene)(PMeT) and poly(3-Chlorothiophene)(P3CT)respectively were investigated.
本论文采用水热法制备了CdSe纳米棒,并对CdSe纳米棒进行了一系列表征,主要利用光电流作用谱、循环伏安、瞬态光电流等光电化学方法对CdSe纳米棒及不同晶型CdSe纳米棒、聚3-甲基噻吩和3-氯噻吩分别修饰CdSe纳米棒的光电化学性质进行了研究。
4)  poly-3-methyl-thiophene
聚-3-甲基-噻吩
1.
Study of polythiophene,poly-3-methyl-thiophene and poly(3,4-ethylendioxythiophene) as supercapacitor electrode materials;
聚噻吩(PT)、聚-3-甲基-噻吩(PMT)和聚-3,4-亚乙二氧基-噻吩(PEDT)作为超电容器电极材料的研究
5)  poly (3-methylthiophene)
聚(3-甲基噻吩)
6)  3-methoxythiophene
3-甲氧基噻吩
1.
Improved Synthesis of 3-methoxythiophene and Determination by GC;
3-甲氧基噻吩合成方法的改进及气相分析
补充资料:聚3-甲氧基噻吩
分子式:
CAS号:

性质:为在3位引入甲氧基的聚噻吩导电聚合物。有较好的导电性和化学稳定性。与其他3-甲基取代噻吩一样,甲氧基的引入可以提高其可加工性能和稳定性。3位烷氧基的引入可以通过成醚反应完成。聚3-甲氧基取代噻吩的用途主要作为固态电池的电极材料、电极修饰材料和有机电子器件的研究方面。

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参考词条