1) silicon for IC
集成电路用硅
3) Si integrated circuit(IC) technology
硅集成电路工艺
4) silicon substrate IC's
硅衬底集成电路
5) SiC integrated circuits
碳化硅集成电路
6) Si-substrate integrated circuit
硅基集成电路
1.
Development of Si-substrate integrated circuits and new generation dielectric oxide materials for MOS gates;
硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状
补充资料：集成电路用硅
分子式：
CAS号：
性质：用于集成电路制造的硅抛光片与外延片。随着IC的集成度提高，对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高，包括杂质含量、缺陷密度、表面清洁度、几何精度、硅片直径等。根据电路种类，对硅材基本要求如下表：IC类型型号品向电阻率/(Ω·cm)是否需外延NMOSp(100)8～80少量(高集成度)CMOSn或p(100)4～15少量(高集成度)双极p(111)8～15全部CCDp(100)15～25少量(高集成度) 对超大规模集成电路，器件尺寸达微米，须使用外延片制作。随着集成度提高，管芯面积增大，制作工序增多，用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。
CAS号：
性质：用于集成电路制造的硅抛光片与外延片。随着IC的集成度提高，对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高，包括杂质含量、缺陷密度、表面清洁度、几何精度、硅片直径等。根据电路种类，对硅材基本要求如下表：IC类型型号品向电阻率/(Ω·cm)是否需外延NMOSp(100)8～80少量(高集成度)CMOSn或p(100)4～15少量(高集成度)双极p(111)8～15全部CCDp(100)15～25少量(高集成度) 对超大规模集成电路，器件尺寸达微米，须使用外延片制作。随着集成度提高，管芯面积增大，制作工序增多，用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条