1) silver gallium ditdluride crystal
二碲化镓银晶体
2) copper gallium ditelluride crystal
二碲化镓酮晶体
3) silver gallium diselenide crystal
二硒化镓银晶体
4) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
5) silver antimony ditelluride crystal
二碲化锑银晶体
6) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
补充资料：二碲化镓银晶体
分子式： AgGaTe2
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，共价键结合，有一定离子键成分。为复式晶格，晶格常数0.629nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.10eV，熔点720℃。采用布里奇曼法，区域熔炼和定向凝固法制备。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，共价键结合，有一定离子键成分。为复式晶格，晶格常数0.629nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.10eV，熔点720℃。采用布里奇曼法，区域熔炼和定向凝固法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条