1) zone melting
区域熔融[炼]
2) Zone melting
区域熔炼
1.
high purity indium was prepared by the method of a combination of electrolytic refining and zone melting.
采用电解精炼 区域熔炼法 ,获得了 99 9999%高纯铟。
2.
The methods of preparing high purity iron include solvent extraction,ion exchange,electrolytic refining,zone melting,and so on.
本文介绍了溶剂萃取、离子交换、电解精炼和区域熔炼等冶金提纯方法在高纯铁制备过程中的应用。
3) zone-melting
区域熔炼
1.
The zone-melting temperature of YBaCuO tapes were decreased under 945□ by doping Ag and PbO in YBaCuO films, which made zone-melting process possible with Ag substrate not melted.
通过掺杂Ag和PbO的方法降低YBaCuO的区熔温度到945℃以下,从而能够在金属Ag基底上进行区域熔炼,获得有织构的超导带材。
4) Regional Smelt
区域熔炼
1.
Making the Metal in High Solidification by the Way of Regional Smelt;
区域熔炼法制备高纯度金属
2.
Method of regional smelt has been adopted in the electronic industrial production.
在电子工业生产中采用区域熔炼的方法，能将金属的纯度提高到99。
5) Zone Melting
区域熔融
1.
In order to improving the purity of the industrial product,antioxidant D was purified by the methods of Recrystalize and Zone Melting.
用重结晶和区域熔融法提纯制备标准物质用N-苯基-β萘胺(防老剂D)。
2.
In order to improve the purity of industrial product,Antioxidant BHT was purified by the methods of recrystalize and zone melting.
为提高防老剂BHT的纯度,采用重结晶和区域熔融法对工业品防老剂BHT进行提纯。
3.
In order to meet the demand of high-pure phosphoric acid and semiconductor industries, a combined theoretical and experimental approach was undertaken to find out the influences of zone length and times of zone pass on the solute distribution in ingot after the purification process of industrial yellow phosphorus by zone melting method.
为了满足高纯磷酸以及半导体等行业对高纯磷的需求,采用了区域熔融法对工业黄磷进行提纯,分析了区熔法提纯工业黄磷的原理,并根据所测有效分布系数建立整个区熔过程中杂质分布的数学模型。
6) zone melting
区域融熔
补充资料：区域熔融[炼]
分子式：
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条