1) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
2) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
3) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
4) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
5) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
6) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
补充资料：砷化镓铟单晶
分子式：InxGa1-xAs 0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。是一种混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.356～1.42eV范围内。空穴迁移率0.8×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼，外延法制备。用于制作近红外发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。是一种混合晶体，共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为直接带隙半导体，禁带宽度在0.356～1.42eV范围内。空穴迁移率0.8×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼，外延法制备。用于制作近红外发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条