1) hafnium carbide ceramics
碳化铪陶瓷
2) silicon carbide ceramic
碳化硅陶瓷
1.
Microstructure observation on corrosion behavior of liquid phase sintered silicon carbide ceramics
液相烧结碳化硅陶瓷腐蚀行为的显微观察
2.
The silicon carbide ceramic obtained by pyrolyzing the polyferrocarbosilane has some magnetic properties because of the formation of Fe_3Si characterized by XRD.
采用低分子量的聚硅烷(LPS)与二茂铁合成聚铁碳硅烷(PFCS),后者经高温烧成可制得磁性碳化硅陶瓷,XRD分析表明碳化硅陶瓷具有磁性的原因是由于生成了Fe3Si。
3.
Reaction bonded silicon carbide ceramic materials has many excellent performance, such as high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, resistance to wear and tear, heat shock resistance, which make it become one of the most effective methods of silicon carbide preparation.
反应烧结碳化硅陶瓷材料具有优良的抗高温氧化、耐腐蚀、耐磨损、抗热冲击等性能,使反应烧结成为制备碳化硅材料最有效的方法。
3) boron carbide
碳化硼陶瓷
1.
As an important special ceramic, boron carbide has been comprehensively applied in various fields.
作为一种重要的特种陶瓷,碳化硼陶瓷已经在各个领域有了广泛的应用,但是其加工性能仍然成为制约碳化硼陶瓷发展的巨大阻力。
2.
Boron carbide is a promising material with unique properties such as extremely high hardness, low density and strong neutron absorption.
碳化硼陶瓷具有许多优良性能,如密度小、硬度高以及中子吸收能力强,因此有良好的应用前景,然而高脆性制约了它在工业上的应用,而碳化硼基复合材料能有效解决这个问题。
4) SiC Ceramics
碳化硅陶瓷
1.
SiC ceramics is a new type structural material which has excellent mechanical properties in high temperature.
碳化硅陶瓷是一种具有优良的高温力学性能的新型结构陶瓷材料 ,具有热膨胀系数小、比重轻 (只有重金属的三分之一 )、导热系数大等特性 ,非常适合应用于航空航天高温结构件的制造。
2.
SiC ceramics were prepared by pressureless sintering.
采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷,对其显微结构和导电性能进行了分析。
5) silicon carbide ceramics
碳化硅陶瓷
1.
Activated sintering and sintering additives for silicon carbide ceramics;
碳化硅陶瓷的活化烧结与烧结助剂
2.
Novel reaction-formed joint technology for reaction bonded silicon carbide ceramics;
碳化硅陶瓷新型反应连接技术
3.
With great mechanical properties,silicon carbide ceramics have been used in many fields.
碳化硅陶瓷以其优异的性能被广泛利用于各种领域,但其脆性限制了其性能的发挥,因此其增韧技术得到广泛研究并取得良好效果。
6) boron carbide ceramics
碳化硼陶瓷
1.
Influence of the rare-earth oxide on the properties of boron carbide ceramics;
稀土氧化物对碳化硼陶瓷性能的影响
2.
In this paper using the vacuum hot-pressed sintered technology boron carbide ceramics is prepared with the sintered catalyst of Al2O3 and C.
以氧化铝、活性碳为烧结助剂,以碳化硼为基体、采用真空热压烧结技术制备碳化硼陶瓷。
补充资料：碳化铪陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：铪和碳的化合物为主要成分的陶瓷。碳化铪(HfC)理论密度12.7g/cm3，熔点3890℃，是已知单一化合物中熔点最高者。体积电阻率1.95×10-4Ω·cm(2900℃)，热膨胀系数6.73×10-6/℃。通常用二氧化铪(HfO2)与碳在惰性或还原性气氛中合成粉末，反应温度1900～2300℃，用热压烧结法或热等静压法制出高密度陶瓷甜品。碳化铪能与许多化合物(如ZrC、TaC等)形成固溶体。如组分为HfC-4TaC的复合碳化物，其显微结构呈二相：一相为碳化铪-碳化钽的共晶体；另一相为外形比是50：1的针状的游离石墨相。这种“近共晶”碳化铪(HfC)制品具有良好热稳定性和高的熔点，可作火箭喷管的喉部材料。
CAS号：
性质：铪和碳的化合物为主要成分的陶瓷。碳化铪(HfC)理论密度12.7g/cm3，熔点3890℃，是已知单一化合物中熔点最高者。体积电阻率1.95×10-4Ω·cm(2900℃)，热膨胀系数6.73×10-6/℃。通常用二氧化铪(HfO2)与碳在惰性或还原性气氛中合成粉末，反应温度1900～2300℃，用热压烧结法或热等静压法制出高密度陶瓷甜品。碳化铪能与许多化合物(如ZrC、TaC等)形成固溶体。如组分为HfC-4TaC的复合碳化物，其显微结构呈二相：一相为碳化铪-碳化钽的共晶体；另一相为外形比是50：1的针状的游离石墨相。这种“近共晶”碳化铪(HfC)制品具有良好热稳定性和高的熔点，可作火箭喷管的喉部材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条