1) epitaxial gases
外延气体
3) gas source molecular beam epitaxy (GS MBE)
气体源分子束外延(GS-MBE)
4) melt epitaxy
熔体外延
1.
The InAsSb single crystals with a cutoff wavelength of 11μm were succesfully grown on InAs substrates by melt epitaxy.
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶。
5) VPE
气相外延(VPE)
6) vapour deposition furnace
气相外延炉
补充资料：外延气体
分子式：
CAS号：
性质：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
CAS号：
性质：在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD)的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4种，即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅，主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，淀积氧化硅膜，淀积氮化硅膜，太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条