1) Schottky defect
肖特基缺陷
2) schottky disorder
肖脱基缺陷
3) schottky
肖特基
1.
A p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector;
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器
2.
Research on the Improvement of High-temperature Working Function of Schottky Diode;
改善肖特基二极管高温工作性能研究
3.
Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors;
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
4) schottky contact
肖特基结
1.
Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts;
AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
2.
Performances of SiC MESFET strongly depend on Schottky barrier height,and the stability of gate Schottky contact will have a further impact on the device performances.
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。
5) Schottky junction
肖特基结
1.
The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe pn junction with the Au/iZnSe/nZnSe (MIS structure) Schottky junction.
根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全电池的电流匹配问题,探讨了用Au/i ZnSe/n ZnSe肖特基结金属/绝缘体/半导体(MIS)结构取代ZnSep n结结构从而改进全电池性能的方法。
2.
Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 。
6) Schottky diode
肖特基管
补充资料：肖特基缺陷
分子式：
CAS号：
性质：当温度不为0K时，晶体表面附近会产生空位，然后扩散到内部，形成晶体内部的缺陷，称为肖特基缺陷。在离子晶体中，由于要保持电中性，正、负离子空位常成对出现，形成正负离子空位对，因此它是离子晶体中的整比缺陷，其平衡数目符合波尔兹曼分布：n=N exp(-μ/2kBT) 式中N为晶体中正负离子数，μ为正负离子空位对的形成能，KB为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。
CAS号：
性质：当温度不为0K时，晶体表面附近会产生空位，然后扩散到内部，形成晶体内部的缺陷，称为肖特基缺陷。在离子晶体中，由于要保持电中性，正、负离子空位常成对出现，形成正负离子空位对，因此它是离子晶体中的整比缺陷，其平衡数目符合波尔兹曼分布：n=N exp(-μ/2kBT) 式中N为晶体中正负离子数，μ为正负离子空位对的形成能，KB为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条