半磁泡,half bubble,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) half bubble 点击朗读

半磁泡

2) half bubble 点击朗读

半泡，磁半泡

3) collapse radius of magnetic bubble 点击朗读

磁泡缩灭半径

4) half bubble 点击朗读

半泡

5) magnetic bubble 点击朗读

磁泡

When the thickness of Cu intermediate layer is thinner, magnetic bubbles domain is revealed, indicating that the easy axis is perpendicular to the surface.

Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小 ,多层膜矫顽力呈减小趋势。

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6) bubble [英]['bʌbl] [美]['bʌbḷ] 点击朗读

磁泡

The stability of vertical Bloch lines(VBLs)in the second kind of dumbbell domain(IID)walls in LPE garnet bubble films subjected to an in-plane field at different temperature is studied experimentally.

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响。

The length (or diameter) of the three kinds of hard domains (ordinary hard bubble (OHB) the first kind of dumbbell (ID) the second kind of dumbbell( IID)) in garnet bubble films, and the length of the dumbbelIs(ID IID) in different direction of rotation are measured in detail under the variety bias field.

本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。

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补充资料：半磁半导体

半磁半导体
semimagnetic semiconductor

半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g*=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

硬磁泡磁泡材料超级磁泡磁泡畴磁泡传输磁泡工艺

泡畴，磁泡磁泡，水泡，气泡气泡半径半卵泡半硬泡沫磁泡膜

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 半磁泡 1) half bubble 半磁泡 2) half bubble 半泡，磁半泡 3) collapse radius of magnetic bubble 磁泡缩灭半径 4) half bubble 半泡 5) magnetic bubble 磁泡 1. When the thickness of Cu intermediate layer is thinner, magnetic bubbles domain is revealed, indicating that the easy axis is perpendicular to the surface. Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小 ,多层膜矫顽力呈减小趋势。更多例句>> 6) bubble [英]['bʌbl] [美]['bʌbḷ] 磁泡 1. The stability of vertical Bloch lines(VBLs)in the second kind of dumbbell domain(IID)walls in LPE garnet bubble films subjected to an in-plane field at different temperature is studied experimentally. 实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响。 2. The length (or diameter) of the three kinds of hard domains (ordinary hard bubble (OHB) the first kind of dumbbell (ID) the second kind of dumbbell( IID)) in garnet bubble films, and the length of the dumbbelIs(ID IID) in different direction of rotation are measured in detail under the variety bias field. 本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。更多例句>> 补充资料：半磁半导体半磁半导体 semimagnetic semiconductor 半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30正比于宏观体磁化强度M的平均场理论来描述改变了的载流子行为。有效g因子通过磁化强度M反映其与温度、组分和磁场的依赖关系。增强磁场和降低温度均能使交换作用贡献增强。窄能隙Hgl一二MnxTe在低温下甚至发生价带、导带朗道子能级的重叠并使朗道子能级次序发生变化。对Cdl一二Mn二Se:x二O时有效g因子g才=0.5，而x=0.1时，g=170。有效g因子增强了两个量级。 ②反常大的磁光效应。磁离子对外磁场有很大的响应，如同外磁场的“放大器”，其振幅比普通半导体中磁光效应强102一103倍。最为突出的是宽能隙Cd卜xMn二Te(S，Se)在外磁场下的激子带发生巨大的塞曼分裂，从而导致带间范围显示很强的激子巨法拉第效应，较CdTe的法拉第旋转角大103倍。同时测量法拉第效应、磁反射谱和磁化强度，可精确地确定不同材料中表征交换作用贡献的交换积分常数。在n一Cdoo5Mnoo5Se中发现反常大的自旋反转拉曼散射斯托克斯位移，较Cdse的大两个数量级。同时还观察到与束缚磁极化子的形成有关的零场下斯托克斯移位。此外在A卜二Mn、砂系列Pbl_xMnxTe中还观察到与自由磁极化子形成有关的零场下自旋分裂。 ③SdH量子振荡的振幅与温度非单调反常依赖关系。n一Hg卜xMn，Te(Se)的振荡的振幅中包含与有效g因子有关的余弦因子，有效g因子随温度而变化。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条硬磁泡磁泡材料超级磁泡磁泡畴磁泡传输磁泡工艺

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