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1)  multiplier discrimination
倍增器甄别效应
2)  multiplier effect
倍增效应
1.
The development of information takes on a multiplier effect.
信息服务发展具有倍增效应。
2.
The experimental results and mechanism are analyzed and the pulsed electric field can cause the plant to have the NAI launch multiplier effect.
通过实验结果说明了脉冲电场可以使植物产生NAI发射的倍增效应,分析了其产生的机理。
3)  mass effect of electron multiplier
电子倍增器的质量效应
4)  Discriminator [英][di'skrimineitə]  [美][dɪ'skrɪmə,netɚ]
甄别器
1.
Analog Switching Pulse Width Discriminator;
模拟开关型脉冲宽度甄别器
2.
A circuit of multi-channel amplifield and discriminator was described.
介绍了一种多路放大甄别器电路是专门为台湾中微子实验设计的,要同时满足实验中快、慢两种信号(光电倍增管收集的CsI晶体信号及单个光电子信号)的放大要求,还要尽可能降低探测能量的下限,为配合FADC采用了差分输出,满足了系统实验的各种要求。
3.
A hybrid circuit consists of charge sensitive preamplifier,main amplifier,discriminator and shaping circuit was described.
介绍一种由电荷灵敏前置放大器、主放大器、甄别器、成形电路所组成的一体化电路。
5)  strain multiplier
应变倍增器
1.
The strain multiplier is designed for amplifying relatively weak mechanical signal so as to for working above its threshold with this device,the problem between high response threshold of the fatigue life gauge and the relatively low of the structure damage loading is solved.
所设计的独特应变倍增器可将微弱的交变应变信号进行机械放大,使敏感元件在桥梁高周疲劳载荷作用下仍工作在敏感区。
2.
A new strain multiplier was design for fatigue life gage.
设计了一种结构独特、机械放大率高的应变倍增器,从而使工程结构表面应变放大到疲劳寿命计门槛值以上,满足了大型工程结构长寿命、低应力工作特点的寿命检测要求。
6)  avalanche multiplication effect
雪崩倍增效应
补充资料:半导体中的雪崩倍增效应
      在强电场下,半导体中的载流子会被电场加热(见半导体中的热载流子),部分载流子可以获得足够高的能量,这些载流子有可能通过碰撞把能量传递给价带上的电子,使之发生电离,从而产生电子-空穴对,这种过程称为碰撞电离。所产生的电子空穴对,在电场中向相反方向运动,又被电场加热并产生新的电子空穴对。依此方式可以使载流子大量增殖,如图1所示。这种现象称为雪崩倍增效应。
  
  通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。电离率强烈依赖于电场,也是温度的函数(由于温度升高,点阵散射增强,倾向于阻碍对载流子的加热,通常电离率随温度的升高而下降)。电子和空穴一般具有不同的电离率。图2给出了室温下由实验测量得到的几种半导体中电子电离率αn和空穴电离率αp随电场强度的变化。电离率通常可用下列经验公式表示α=A,式中ε为电场强度,A、b和m为常数。
  
  半导体中的雪崩效应是引起PN结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结,其空间电荷区内有很强的电场。在反向偏压足够高,空间电荷区内电场足够强时,热生载流子在通过强电场区时会产生雪崩倍增效应。于是反向电流会随反向电压迅速增加,这种现象称为雪崩击穿。对于硅、锗的PN结,当击穿电压大于6Eg/q时(Eg是禁带宽度,q是电子电荷),击穿由雪崩效应引起,而当击穿电压小于4Eg/q时,击穿由另一种效应,即隧道效应所引起。
  
  在雪崩机制中,电流的倍增不仅决定于电离率的大小(或与之相联系的电场强度),而且决定于能有效产生碰撞电离的空间电荷区的宽度。雪崩击穿电压通常随温度的上升而增加。
  
  当PN结发生雪崩击穿时,通常伴随着发光现象,所发射光子的能量可以显著地超过禁带能量。
  
  如果在金属-绝缘体-半导体系统的栅上施加高的脉冲电压(例如对由P型半导体所构成的MIS结构施加正栅压)也会在半导体表面产生雪崩效应。这时半导体表面层呈深耗尽状态。在表面电场足够高时,在耗尽层中流动的热生载流子会产生雪崩倍增效应。
  
  对于包含PN结的半导体器件,一般说来,雪崩倍增效应是个限制性因素。但也可以利用此效应来制作某些器件,如碰撞雪崩渡越二极管及雪崩注入MOS非易失性存储元件。
  

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