1) intrinsic carrier density
本征载流子密度
2) volumic electron number
本征载流子数密度
3) intrinsic carrier concentration
本征载流子浓度
1.
In this paper,a model for the intrinsic carrier concentration is developed and the intrinsic carrier concentration is calculated analytically with the varying of the temperature T,Ge fraction x and doping concentration.
采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。
4) intrinsic carrier
本征载流子
5) carrier density
载流子密度
1.
The linear relation of gain on carrier density in the conventional rate equation is replaced by the logarithmic relation for quantum well lasers in this paper.
首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制特性。
2.
Corrosion of metals is a kind of irreversible phenomena of consumption under action of aggressive medium in use of metals.
不锈钢、碳钢、黄铜裸电极在电解质溶液中氧化膜的载流子密度均随浸泡时间的延长而逐渐增大。
6) intrinsic electron density
本征电子密度
补充资料：本征载流子浓度（intrinsiccarrierconcentration）
本征载流子浓度（intrinsiccarrierconcentration）
本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条