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1)  surface-controlled avalanche transistor
表面控制雪崩晶体管
2)  Avalanche transistor
雪崩晶体管
1.
The generator is based on the avalanche transistors in a Marx bank circuit.
为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于M arx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪崩晶体管的选取。
2.
Such generator outputed current impulses of 7 ns wide and 6 A high from the two-stage avalanche transistor matrix using the avalanche effect.
利用晶体 管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到了7 ns、6 A的大电流窄脉冲。
3.
In this thesis, the current research status and performances of the short pulse generator are summarized; the physical principle of avalanche transistor is analyzed; and avalanche transistor is chosen based on the principle.
本文对探地雷达脉冲源技术的发展进行了总结,详细分析了雪崩晶体管的工作原理,雪崩晶体管的导通方式及其应用电路对雪崩管导通方式的影响,据此探讨了雪崩晶体管的选择。
3)  avalanche phototransistor
雪崩光电晶体管
4)  punch through avalanche transistor
穿通雪崩晶体管
5)  solid avalanche transistor
固体雪崩管
1.
The solid avalanche transistor which is triggered to the state of avalanche or the moment of second break down can output high pulse peak current with little jitter and short rise time.
固体雪崩管被触发工作在雪崩或二次击穿瞬间时能输出很大的脉冲峰值电流,且触发晃动和上升时间都很小,因此广泛用于制作重复频率低而脉冲功率高的快脉冲源。
6)  controlled avalanche diode
可控雪崩二极管
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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