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1)  surface barrier diode
表面势垒二极管
2)  surface barrier diode
表面阻挡二极管,表面势垒二极管
3)  surface barrier diode
表面阻挡层二极管;表面势垒二极管
4)  BARITT diode
势垒二极管
5)  surface-barrier diode
面垒二极管
6)  intrinsic-barrier diode
本征势垒二极管
补充资料:pn结势垒(barrierofp-njunction)
pn结势垒(barrierofp-njunction)

pn结的空间电荷区中,存在由n边指向p边的自建电场。因此,自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域,载流子的能量低于势垒高度,就被势垒阻挡而不能前进,这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外,还有金属与半导体接触的接触势垒(肖特基势垒)、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响,当外加电场削弱势垒区中电场时,势垒降低,载流子容易通过;外加电场加强势垒区的电场时,势垒高度升高,载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。

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