2) Trigger and extended store procedure
触发器与扩展存储过程
3) contact process
接触过程
1.
A mean field limit of the contact process in a random environment with large range;
随机环境中长程接触过程的平均场极限
2.
In this paper,a stock price model is constructed by applying contact process theory.
引入接触过程的理论,并由此构造股票价格模型,在此基础上构造了一个停时序列,通过对此停时序列及接触过程上临界状态与下临界状态,来研究股票价格的波动性质,推导出股票价格的特征函数收敛于levy过程相应的特征函数,从而说明了股票价格分布函数的收敛性质。
3.
The relation of the contact process to the Ising model by coupling is studied.
利用耦合的技巧，建立了Ｉｓｉｎｇ模型与基本接触过程的联系，并由此来估计二维和三维基本接触过程的临界值，它们分别是：１／３≤λ（２）ｃ≤３。
4) Collide course
触地过程
5) zero crossing triggering
过零触发
1.
The AVR singlechip is used for the core of controller,the automatic compensation optimum control method is established based on reactive power compensation principle,the problem of thyristor switched wrong trigger is solved by the technology of zero crossing triggering,switched vibration i.
采用AVR单片机系统作为控制器的核心,从无功补偿原理出发,建立了自动补偿最优控制方法,采用过零触发技术解决了晶闸管投切误触发的问题,减少了投切振荡,动态响应速度快。
2.
In this article,the authors discuss how to implement the full automatic real time compensation of reactive power using several methods:a)applying "Power Trac" module,b)acguiring the system parameters,c)connecting/disconnecting the capacitors block based on the reactive power of the system by means of zero crossing triggering of SCR components.
应用 Power Trac模块 ,采集系统参数 ,根据系统的无功电流 ,通过可控硅元件过零触发技术 ,投入 /切除电容器组 ,以达到无功功率的全自动实时补
6) zero passage trigger
过零触发
1.
The system uses SPCE061A microprocessor to achieve temperature control,and it uses MOC3021 to achieve zero passage trigger.
由于该系统分别采用了SPCE061A微处理器实现温度控制和可控硅驱动器MOC3021实现过零触发,使得该系统具有较高的可靠性和自动化程度。
2.
The system use SOC microprocessor to actualize multi-channel temperature control,and it use DS1820 and MOC3041 to actualize temperature collection and synchronous zero passage trigger.
该系统采用了SOC微处理器实现多路相互独立的温度控制,采用数字式温度传感器DS1820和可控硅驱动器MOC3041实现温度采集和同步过零触发。
补充资料：正规过程和倒逆过程
讨论完整晶体中声子-声子散射问题时,由于要求声子波矢为简约波矢（见布里渊区），所得到的总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量G)。例如对于三声子过程有下列条件
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条