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1)  Auger peak
俄歇峰
2)  Auger peaks of cerium
铈俄歇峰
3)  Auger electron peak
俄歇电子峰
4)  Auger lineshape analysis
俄歇峰形分析
1.
Auger lineshape analysis is employed in the study of chemical and electronic states of GaAs/Si interface.
利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。
5)  Auger lineshape correction
俄歇峰形修正
6)  AES
俄歇
1.
Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;
因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用
补充资料:俄歇电子能谱
      测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程(图1)。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层,用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子(通常为价电子)。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名,被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面,都能产生俄歇效应。
  
  俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射,能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子,这些电子的能量大体上处于 10~500电子伏,它们的平均自由程很短,大约为5~20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源,电子束可以聚焦、扫描,因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析,并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具,广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
  
  
  

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