1) two-level addressing
二级编址
2) two-level addressing
二级寻址;二级编址
3) three-level addressing
三级编址
4) multilevel addressing
多级编址
5) double level indirect addressing
二级间址
1.
Through the explanation of the characteristice of double pointer variable,this paper discusses the visit to different data in double level indirect addressing by using double pointer variable.
阐述了双重指针变量的特性 ,通过对其性质的阐述进一步理解利用双重指针变量采用二级间址的方式对不同数据的访问 。
6) second-level addressing
二级寻址
补充资料：电子级二氯二氢硅
分子式： SiH2Cl2
CAS号：
性质：在室温和大气压力下是一种高可燃、腐蚀性有毒气体，阈限值-重量加权平均浓度(TLV TWA)未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10-6(ACGIH)。于21.1℃和大气压力下气体相对密度(空气=1)3.48；气体密度4.228kg/m3；液体密度1235kg/m3(21.1℃)，1188kg/m3(40.6℃)。沸点8.2℃。熔点-122℃。在空气中的可燃限4.1％～98.8％(体积)；自燃温度58℃。与水或水气接触迅速水解产生二氧化硅和盐酸。国外多采用三氯氢硅歧化法生产粗二氯二氢硅，精馏法提纯；也有用多晶硅厂尾气中提取二氯二氢硅的技术路线，经精馏、络合、终端吸附可制得高纯二氯二氢硅。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅。
CAS号：
性质：在室温和大气压力下是一种高可燃、腐蚀性有毒气体，阈限值-重量加权平均浓度(TLV TWA)未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10-6(ACGIH)。于21.1℃和大气压力下气体相对密度(空气=1)3.48；气体密度4.228kg/m3；液体密度1235kg/m3(21.1℃)，1188kg/m3(40.6℃)。沸点8.2℃。熔点-122℃。在空气中的可燃限4.1％～98.8％(体积)；自燃温度58℃。与水或水气接触迅速水解产生二氧化硅和盐酸。国外多采用三氯氢硅歧化法生产粗二氯二氢硅，精馏法提纯；也有用多晶硅厂尾气中提取二氯二氢硅的技术路线，经精馏、络合、终端吸附可制得高纯二氯二氢硅。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条