1) inversion barrier
反演势垒
2) Reaction barrier
反应势垒
1.
Density functional theory B3LYP method is carried out to investigate the effect of substituent on the reaction barrier of intramolecular α-hydrogen transfer from alkyl to alkylidyne ligands in a series of organometallic chromium complexes (R3)(R4)Cr(≡CH)(CHR1R2).
确定了反应物、过渡态和产物的几何结构和反应势垒。
2.
Calculations results shows that all six reactions are exothermic and the reaction barrier is low.
本论文采用密度泛函理论B3LYP方法对五线态MnSalen(O)(R′)与取代乙烯CH_2=CHR环氧化反应中取代基对反应势垒的影响进行了理论研究。
3) reverse barrier
反向势垒
1.
An inner reverse barrier is simulated with the I-V curves,as shows that the negative resistance phenomenon is caused by the break down of the reverse barrier.
模拟分析表明 ,一种反向势垒的存在及其击穿 ,应是引起负阻现象的原因 。
4) inverse lattice problem
对势反演
1.
By a system of linear equations on multiplicative semigroup,we present a general mathematical method to solve the inverse lattice problems in physics.
用乘法半群上的线性方程组来求解晶体原子间对势反演的逆问题。
5) Molecular reaction potential barrier
分子反应势垒
6) reflection probability
核势垒反射系数
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条