浮区提纯,floating-zone purification,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) floating-zone purification

浮区提纯

2) electron-beam floating zone furnace

电子束浮区提纯炉

3) float-zone

浮区

4) floating zone method

浮区法

This paper summarizes the research progress in β-Ga_2O_3 single crystal and introduces the growth techniques of β-Ga_2O_3 single crystals by Verneuil, Czocralski and floating zone methods.

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。

5) disc-like floating zone

碟形浮区

6) half floating zone

半浮区

参考词条

浮区法晶体生长悬浮区熔提纯电子束悬浮区熔悬浮区熔生长法悬浮区域熔炼<冶> 电子束悬浮区域熔炼悬浮区熔电迁移联合法电子束悬浮区域熔炼（EBFZM）电子束悬浮区域熔炼<冶> e-HR 锦州9-3东油田

补充资料：区熔提纯

区熔提纯
Zonemelting Purifieation

区熔提纯 zone‘melt，ing purification利用分凝效应提纯材料的方法。是一种十分有效的物理提纯方法。分为水平区熔和悬浮区熔两类。区熔提纯是在一个相对长的固体原料中，有一个短的熔区缓慢地从一端移向另一端，这一过程可以重复多次进行，使材料中的杂质在结晶过程中重新分布，杂质逐渐向晶锭头部和尾部移动，从而获得超纯材料。区熔提纯为美国W．G．范(Pfann)于1952年发明，现已广泛应用于提纯半导体材料和其他材料。分凝系数基元材料和杂质的二元系统处于两相平衡时，处于平衡状态的两相内的杂质浓度之比保持恒定。这称为分配定律。在熔化为液体的半导体材料与杂质组成的二元系统中，假如凝固从一端开始，逐渐向另一端推移，并且移动速度足够慢，使固、液两相处于平衡状态，这一过程称为平衡凝固，又称正常凝固。根据分配定律，平衡凝固时，杂质在固相和液相中的分配不同。以G、G。分别表示固相和液相中的杂质浓度，它们的比值Ko(Cs／C。)为一常数，称为平衡分配系数。它表征杂质分凝效应的强弱。不同杂质在同一种物质中的分凝系数值不同，同一种杂质在不同结晶物质中的分凝系数也不相同。对凰<1的杂质，在物质结晶过程中，固相中的这种杂质浓度小于它在液相中的浓度，杂质向结晶体的尾部集中；反之，对‰>1的杂质，向结晶体的头部集中。经一次区熔后，可得锭中杂质的分布(见材料超提纯)。直拉单晶就是一次正常凝固，具有较好的提纯效果。当凝固速率比较快时(非平衡凝固)，固液界面附近的既相杂质浓度(cs)与液相平均杂质浓度(G。)之比(琏=cs／G，。)，称为有效分凝系数。此时固液界面附近处液相杂质浓度G。与液相内部均匀部分杂质浓度G。不同。当凝固速率较慢时，G．。一G，风一瓜。假如半导体材料全部熔化为液体，且假设液体中最初杂质浓度是均匀的，则当它开始凝固时，固相中的杂质浓度是它的垃倍，若眨<1，则余下(1一凰)倍的杂质就被排斥到液相中去。当凝固速率比较快时(非平衡凝固)，这部分杂质还未完全扩散到液相内部，又有新的固相层凝固出来。同时又排出一部分杂质到液体中，使分凝到液体中的杂质来不及扩散，就在固液界面附近的液体薄层(界面层)中堆积起来，使之大于液相内部的平均杂质浓度，与液体内部形成一个浓度梯度。它加速了杂质向液相内部的扩散。分凝作用使相界面层杂质增加，由于杂质的这一积累，促进其向液相内部扩散，当两者相等时，薄层杂质浓度梯度才会稳定下来，恢复到平衡。玩<1时，由于固液界面附近的液相杂质浓度比液相内部的大，因而凝固出的固相杂质浓度比平衡凝固时的有所增加；反之，对忍>1的杂质，固液界面附近液体薄层中杂质浓度低于液体内部杂质浓度，几种半导体材料中杂质的分凝系数┏━━━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━━━┓┃＼材料 ┃ ┃ ┃ ┃┃杂质、＼ ┃ Si ┃ Ge ┃ GaAs ┃┣━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫┃ Li ┃ O．01 ┃ 2×10一。 ┃ <0．002 ┃┃ Cu ┃ 4×10一‘ ┃ 1．5×10一0 ┃ 0．1 ┃┃ Ag ┃ ┃ 4×10’ ┃ ┃┃ Au ┃ 2．5×10—0 ┃ 1．3×10“ ┃ ┃┃ Zn ┃ 10-5 ┃ 4×10—0 ┃ O．31 ┃┃ B ┃ 0．9 ┃ 17 ┃ ┃┃ A1 ┃ 2×10一0 ┃ 0．073 ┃ 3 ┃┃ Ga ┃ 8×10一0 ┃ O．087 ┃ ┃┃ In ┃ 4×10一‘ ┃ 1×10“ ┃ 0．1 ┃┃ C ┃ O．07 ┃ ┃ ┃┃ Si ┃ 1 ┃ 5．5 ┃ 0．14 ┃┃ Ge ┃ 0．33 ┃ 1 ┃ 0．418 ┃┃ Sn ┃ 0．016 ┃ O．03 ┃ 0．03 ┃┃ N ┃ 7×10—4 ┃ ┃ ┃┃ P ┃ 0．35 ┃ O．08 ┃ ┃┃ As ┃ 0．30 ┃ O．02 ┃ ┃┃ Sb ┃ 0．023 ┃ 3×10—3 ┃ 0．02 ┃┃ Bi ┃ 7×10—0 ┃ 4 5×10—0 ┃ ┃┃ 0 ┃ 1．25 ┃ ┃ ┃┃ S ┃ 10“ ┃ ┃ 0．3 ┃┃ Se ┃ ┃ ┃ 0．5 ┃┃ Te ┃ ┃ ～10“ ┃ O．8 ┃┃ Mn ┃ 10-5 ┃ ～10“ ┃ 0．021 ┃┃ Fe ┃ 8×10—0 ┃ 3×10-5 ┃ 0．003 ┃┃ Co ┃ 8×10—0 ┃ ～10“ ┃ 8×lO一0 ┃┃ Ni ┃ lO“ ┃ 3x】O一0 ┃ 6×10一‘ ┃┗━━━━━┻━━━━━━━━┻━━━━━━━━┻━━━━━━━┛因而凝固出来阎相的杂质浓度比平衡凝固时低。有效分凝系数与结晶条件有如下关系：瓜=‰／[比+(1一忍)exp(～俗／D)]式中厂为结晶速度：D为杂质在液体中的扩散系数；占为界面层厚度．与熔体的粘滞度和对熔体的搅拌有关。当厂>>l／(口／D)时，群-一1，分凝效果差；当f<

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1) floating-zone purification 浮区提纯 2) electron-beam floating zone furnace 电子束浮区提纯炉 3) float-zone 浮区 4) floating zone method 浮区法 1. This paper summarizes the research progress in β-Ga_2O_3 single crystal and introduces the growth techniques of β-Ga_2O_3 single crystals by Verneuil, Czocralski and floating zone methods. 本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。 5) disc-like floating zone 碟形浮区 6) half floating zone 半浮区参考词条浮区法晶体生长悬浮区熔提纯电子束悬浮区熔悬浮区熔生长法悬浮区域熔炼<冶> 电子束悬浮区域熔炼悬浮区熔电迁移联合法电子束悬浮区域熔炼（EBFZM）电子束悬浮区域熔炼<冶> e-HR 锦州9-3东油田补充资料：区熔提纯区熔提纯 Zonemelting Purifieation 区熔提纯 zone‘melt，ing purification利用分凝效应提纯材料的方法。是一种十分有效的物理提纯方法。分为水平区熔和悬浮区熔两类。区熔提纯是在一个相对长的固体原料中，有一个短的熔区缓慢地从一端移向另一端，这一过程可以重复多次进行，使材料中的杂质在结晶过程中重新分布，杂质逐渐向晶锭头部和尾部移动，从而获得超纯材料。区熔提纯为美国W．G．范(Pfann)于1952年发明，现已广泛应用于提纯半导体材料和其他材料。分凝系数基元材料和杂质的二元系统处于两相平衡时，处于平衡状态的两相内的杂质浓度之比保持恒定。这称为分配定律。在熔化为液体的半导体材料与杂质组成的二元系统中，假如凝固从一端开始，逐渐向另一端推移，并且移动速度足够慢，使固、液两相处于平衡状态，这一过程称为平衡凝固，又称正常凝固。根据分配定律，平衡凝固时，杂质在固相和液相中的分配不同。以G、G。分别表示固相和液相中的杂质浓度，它们的比值Ko(Cs／C。)为一常数，称为平衡分配系数。它表征杂质分凝效应的强弱。不同杂质在同一种物质中的分凝系数值不同，同一种杂质在不同结晶物质中的分凝系数也不相同。对凰<1的杂质，在物质结晶过程中，固相中的这种杂质浓度小于它在液相中的浓度，杂质向结晶体的尾部集中；反之，对‰>1的杂质，向结晶体的头部集中。经一次区熔后，可得锭中杂质的分布(见材料超提纯)。直拉单晶就是一次正常凝固，具有较好的提纯效果。当凝固速率比较快时(非平衡凝固)，固液界面附近的既相杂质浓度(cs)与液相平均杂质浓度(G。)之比(琏=cs／G，。)，称为有效分凝系数。此时固液界面附近处液相杂质浓度G。与液相内部均匀部分杂质浓度G。不同。当凝固速率较慢时，G．。一G，风一瓜。假如半导体材料全部熔化为液体，且假设液体中最初杂质浓度是均匀的，则当它开始凝固时，固相中的杂质浓度是它的垃倍，若眨<1，则余下(1一凰)倍的杂质就被排斥到液相中去。当凝固速率比较快时(非平衡凝固)，这部分杂质还未完全扩散到液相内部，又有新的固相层凝固出来。同时又排出一部分杂质到液体中，使分凝到液体中的杂质来不及扩散，就在固液界面附近的液体薄层(界面层)中堆积起来，使之大于液相内部的平均杂质浓度，与液体内部形成一个浓度梯度。它加速了杂质向液相内部的扩散。分凝作用使相界面层杂质增加，由于杂质的这一积累，促进其向液相内部扩散，当两者相等时，薄层杂质浓度梯度才会稳定下来，恢复到平衡。玩<1时，由于固液界面附近的液相杂质浓度比液相内部的大，因而凝固出的固相杂质浓度比平衡凝固时的有所增加；反之，对忍>1的杂质，固液界面附近液体薄层中杂质浓度低于液体内部杂质浓度，几种半导体材料中杂质的分凝系数┏━━━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━━━┓┃＼材料 ┃ ┃ ┃ ┃┃杂质、＼ ┃ Si ┃ Ge ┃ GaAs ┃┣━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━┫┃ Li ┃ O．01 ┃ 2×10一。 ┃ <0．002 ┃┃ Cu ┃ 4×10一‘ ┃ 1．5×10一0 ┃ 0．1 ┃┃ Ag ┃ ┃ 4×10’ ┃ ┃┃ Au ┃ 2．5×10—0 ┃ 1．3×10“ ┃ ┃┃ Zn ┃ 10-5 ┃ 4×10—0 ┃ O．31 ┃┃ B ┃ 0．9 ┃ 17 ┃ ┃┃ A1 ┃ 2×10一0 ┃ 0．073 ┃ 3 ┃┃ Ga ┃ 8×10一0 ┃ O．087 ┃ ┃┃ In ┃ 4×10一‘ ┃ 1×10“ ┃ 0．1 ┃┃ C ┃ O．07 ┃ ┃ ┃┃ Si ┃ 1 ┃ 5．5 ┃ 0．14 ┃┃ Ge ┃ 0．33 ┃ 1 ┃ 0．418 ┃┃ Sn ┃ 0．016 ┃ O．03 ┃ 0．03 ┃┃ N ┃ 7×10—4 ┃ ┃ ┃┃ P ┃ 0．35 ┃ O．08 ┃ ┃┃ As ┃ 0．30 ┃ O．02 ┃ ┃┃ Sb ┃ 0．023 ┃ 3×10—3 ┃ 0．02 ┃┃ Bi ┃ 7×10—0 ┃ 4 5×10—0 ┃ ┃┃ 0 ┃ 1．25 ┃ ┃ ┃┃ S ┃ 10“ ┃ ┃ 0．3 ┃┃ Se ┃ ┃ ┃ 0．5 ┃┃ Te ┃ ┃ ～10“ ┃ O．8 ┃┃ Mn ┃ 10-5 ┃ ～10“ ┃ 0．021 ┃┃ Fe ┃ 8×10—0 ┃ 3×10-5 ┃ 0．003 ┃┃ Co ┃ 8×10—0 ┃ ～10“ ┃ 8×lO一0 ┃┃ Ni ┃ lO“ ┃ 3x】O一0 ┃ 6×10一‘ ┃┗━━━━━┻━━━━━━━━┻━━━━━━━━┻━━━━━━━┛因而凝固出来阎相的杂质浓度比平衡凝固时低。有效分凝系数与结晶条件有如下关系：瓜=‰／[比+(1一忍)exp(～俗／D)]式中厂为结晶速度：D为杂质在液体中的扩散系数；占为界面层厚度．与熔体的粘滞度和对熔体的搅拌有关。当厂>>l／(口／D)时，群-一1，分凝效果差；当f< 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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