1) photoconductive ceramics
光电导陶瓷
2) photoconductive ceramics
光导陶瓷
3) conductive ceramics
导电陶瓷
1.
Ba_(1-x)K_xPbO_3 conductive ceramics were prepared by a sol-gel route to utilize the finer control of the process on homogeneity and microstructure.
3H2O和KOH为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂,采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷,讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响。
2.
BaPbO 3conductive ceramics powder was prepared by means of liquid-state co-precipitation method (LSCM) with BaCO 3 and PbO as the raw powders.
实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3。
4) conductive ceramic
导电陶瓷
1.
Research and development of conductive ceramics with perovskite structure is reviewed.
介绍了钙钛矿结构导电陶瓷的研究与发展,对 LaGaO_3、(LaSr)FeO_(3-δ)等含 La 导电陶瓷和 BaPbO_3等不含 La 导电陶瓷的结构、导电机理和应用进行了详细的论述,分析了掺杂对各系列钙钛矿型导电陶瓷电导率的影响。
2.
The influence of firing temperature on the structure and electrical properties of tin oxide conductive ceramic were researched by using X ray Diffraction and measuring electrical properties.
本文通过 X-射线衍射分析及阻温特性测定等方法研究了 Sn O2 导电陶瓷的晶相组成和电性能与烧成温度的关系。
3.
The composition range of conductive ceramic is provieded in this paper.
研究了 Sn O2 基导电陶瓷的配方范围及其电阻温度特性 ,发现其电阻随温度呈指数降低 ,通过 X-衍射分析 ,对其导电机理进行了讨论。
5) electrooptical ceramics
电光陶瓷
1.
PLZT Powders preparation is very important to obtain the transparent electrooptical ceramics.
要得到透明的PLZT电光陶瓷，粉体的制备是关键，目前的粉体制备技术中存在晶粒大、易团聚等缺陷，限制了PLZT的发展，所以PLZT的纳米制备技术的突破将带来PLZT透明电光陶瓷的广泛应用。
6) electrooptic ceramics
电光陶瓷
1.
The PLZT electrooptic ceramics doped with Sb3+ were prepared by hydrothermal method,and the PLZT ceramics was analyzed by XRD and Raman spectrum,etc.
水热合成法制备Sb3+掺杂的PLZT电光陶瓷。
2.
A novel Q-switched fiber laser made of OptoCeramic○R electrooptic ceramics is reported.
报道了基于OptoCeramic电光陶瓷材料的新型调Q光纤激光器。
补充资料：半导体的光电导
半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内，又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现，并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始，由于半导体物理学的发展,先是硫化铅的,尔后是其他半导体的光电导得到了充分研究。并由此发展了从紫外、可见到红外各个波段的辐射探测器。研究这现象也是探索半导体基本性能的重要方法之一。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计，ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始，能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加，复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间，或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流，这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率，与材料的基本参量，如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计，ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始，能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加，复合的机会也增多，经过一段时间后，就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间，或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流，这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流，称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率，与材料的基本参量，如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外，由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导，以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条