1) photosensitive field-effect transistor
光敏场效应(晶体)管
3) photo-FET
光场效应晶体管
4) Ion sensitive field effect transistor
离子敏感场效应晶体管
1.
A kind of lidocaine drug FETS by the combination of ion sensitive field effect transistor (ISFET) and drug sensitive membrane was developed with sodium tetraphenyl borate as electric active materials,DBP as plasticizer with 5% of PVC of tetrahydrofuran solution deposited on the ISFET gate area.
以四苯硼钠为电活性物质，邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂与５％的聚氯乙烯四氢呋喃溶液混合，涂覆在离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的栅极上，制得一种对利多卡因响应的药物敏感离子场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。
5) Enzyme field effect transistor
酶敏场效应晶体管
6) ion sensitive field effect transistor(ISFET)
离子敏场效应晶体管
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
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