1) photovoltaic detector
光生伏打探测器
2) photovoltaic photodetector
光生伏打光电检测器<光>
4) photovoltaic array
光生伏打器
5) photovoltaic detectors
光伏探测器
1.
Surface leakage can make a great effect on Hg1-xCdxTe photovoltaic detectors.
表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要。
6) photovoltaic detector
光伏探测器
1.
Transient and permanent defects of HgCdTe photovoltaic detectors by γ irradiation
γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤
2.
Two types of variable-area photovoltaic detectors passivated by single ZnS layer and dual (CdTe/ZnS) layers have been fabricated on the same HgCdTe wafer.
利用同一片碲镉汞材料制备了由单层ZnS和双层CdTe/ZnS作钝化膜的变面积光伏探测器,对两种钝化膜结构的变面积器件进行了对比研究。
3.
47)As/InP photovoltaic detector array has been fabricated by using gas source molecular beam epitaxy(GSMBE) and conventional process,and the characteristics of detector array have been measured.
47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。
补充资料:光生伏打效应
由光照引起电动势的现象。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应,而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结;金属和半导体接触的界面;不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属-绝缘体-半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子-空穴对,在自建电场作用下的运动,就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷,P区一侧带负电荷,空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子-空穴对,它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子-空穴对,只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷,在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候,便达到稳定情况,这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来,则有一股电流流过,在外电路负载电阻很低的情况,这股电流就等于光致电流,称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能,称为太阳电池。目前,用硅单晶材料制造的太阳电池,已经广泛地应用于很多技术部门,特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后,很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外,利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结;金属和半导体接触的界面;不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属-绝缘体-半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子-空穴对,在自建电场作用下的运动,就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷,P区一侧带负电荷,空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子-空穴对,它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子-空穴对,只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷,在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候,便达到稳定情况,这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来,则有一股电流流过,在外电路负载电阻很低的情况,这股电流就等于光致电流,称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能,称为太阳电池。目前,用硅单晶材料制造的太阳电池,已经广泛地应用于很多技术部门,特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后,很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外,利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条